Всего результатов: 194
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора ![]() | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
T1G2028536-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 18 dB | N-Channel | 36 V | 145 V | 24 A | 260 W | 48 V | + 250 C | 288 W | SMD/SMT | Tray | |||
T1G4012036-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.4 dB | N-Channel | 36 V | 12 A | 24 W | - 2.9 V | 117 W | SMD/SMT | Tray | |||||
T1G4012036-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.4 dB | N-Channel | 36 V | 12 A | - 2.9 V | 117 W | SMD/SMT | Tray | ||||||
T1G4020036-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | ||||||||||
T1G4020036-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | ||||||||||
T2G4003532-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 30 W | Tray | ||||||||||
T2G4003532-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | 30 W | Tray | |||||||||||
T2G4005528-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 55 W | Tray | ||||||||||
T2G6000528-Q3 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | - | - | 650 mA | 10 W | - | - | - | 12.5 W | SMD/SMT | Tray | ||
T2G6000528-Q3 28V | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | |||||||||||||
T2G6001528-Q3 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | |||||||||||||
T2G6001528-SG | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | 100 V | 5 A | 17 W | 28 W | SMD/SMT | Tray | ||||||
T2G6003028-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | |||||||||||||
T2G6003028-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | |||||||||||||
TGF2023-2-01 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | |||||||||||
TGF2023-2-02 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | |||||||||||
TGF2023-2-05 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | |||||||||||
TGF2023-2-10 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | |||||||||||
TGF2023-2-20 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | |||||||||||
TGF2819-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 14 dB | N-Channel | 32 V | - 2.9 V | 7.32 A | 100 W | 145 V | - 40 C | + 85 C | 86 W | Screw Mount | Tray | ||
TGF2819-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 14 dB | N-Channel | 32 V | - 2.9 V | 7.32 A | 100 W | 145 V | - 40 C | + 85 C | 86 W | SMD/SMT | Tray | ||
TGF2929-HM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.4 dB | N-Channel | 50 V | - 2.8 V | 7.2 A | 132 W | - 40 C | + 85 C | 140 W | SMD/SMT | Waffle | |||
TGF2933 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | - | - | 80 mA | 7.2 W | - | - 40 C | + 85 C | 8.9 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||
TGF2934 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 14 dB | N-Channel | - | - | 1 A | 14 W | - | - 40 C | + 85 C | 15.8 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||
TGF2935 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN | ![]() | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | - | - | 360 mA | 4.8 W | - | - 40 C | + 85 C | 5 W | SMD/SMT | Gel Pack |