Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT200DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4135 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6075 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200H60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6133 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6160 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200SK60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3114 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 750 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 A | 800 nA | 652 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT20H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052 | Нет | SP1-12 | Tube | |||||||||||||
APTGT20TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8093 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 32 A | 300 nA | 62 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT225A170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225DU170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6207 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6141 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT25X120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3085 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 40 A | 400 nA | 156 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7060 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 400 nA | 1.45 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6106 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7032 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6055 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6153 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4109 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 430 A | 500 nA | 935 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6187 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6175 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6196 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »