Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FP15R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600VНетTray
FP15R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIMНетHex1200 V1.7 V15 A400 nA100 WEconoPIM2-24- 40 C+ 125 CTray
FP15R12KS4CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIMДаHex1200 V3.2 V15 A400 nA180 WEconoPIM2-24- 40 C+ 125 CTray
FP15R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleНетTray
FP20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600VНетTray
FP25R12KS4CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIMДаHex1200 V3.2 V25 A400 nA230 WEconoPIM2-24- 40 C+ 125 CTray
FP25R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP30R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600VНетTray
FP30R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30AДаTray
FP35R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35AДаTray
FP40R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIMДаHex1200 V2.3 V40 A400 nA200 WEconoPIM3-24- 40 C+ 125 CTray
FP50R06W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50AДаTray
FP50R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray
FP50R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray
FP50R12KS4CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMНетHex1200 V3.2 V50 A400 nA230 WEconoPIM3-24- 40 C+ 125 CTray
FP50R12KT4G_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200VНетTray
FP75R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS100R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100AДаTray
FS100R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS100R17N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray

Страницы