Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP15R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP15R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM | Нет | Hex | 1200 V | 1.7 V | 15 A | 400 nA | 100 W | EconoPIM2-24 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP15R12KS4C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM | Да | Hex | 1200 V | 3.2 V | 15 A | 400 nA | 180 W | EconoPIM2-24 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP15R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP25R12KS4C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | Да | Hex | 1200 V | 3.2 V | 25 A | 400 nA | 230 W | EconoPIM2-24 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP25R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP30R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP35R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP40R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM | Да | Hex | 1200 V | 2.3 V | 40 A | 400 nA | 200 W | EconoPIM3-24 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP50R06W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP50R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP50R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP50R12KS4C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | Нет | Hex | 1200 V | 3.2 V | 50 A | 400 nA | 230 W | EconoPIM3-24 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP50R12KT4G_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP75R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A | Да | Tray | ||||||||||||||
FS100R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS100R17N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »