Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT200A602GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20007НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP2-18- 40 C+ 100 CBulk
APTGT200A60T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3067НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA750 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DA120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7095НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V300 A400 nA1.05 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT200DA120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6109НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DA60T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3113НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V290 A400 nA750 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DH120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6121НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DH60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6114НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6074НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DU60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4135НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT200H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6075НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200H60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6133НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6160НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200SK60T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3114НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V290 A400 nA750 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT200TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V300 A800 nA652 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT20H60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052НетSP1-12Tube
APTGT20TL601GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8093НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V32 A300 nA62 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT225A170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225DA170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225DU170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6207НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6141НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT25X120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3085НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.7 V40 A400 nA156 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT300A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7060НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V440 A400 nA1.45 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6106НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V420 A600 nA1.38 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300A170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7032НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V400 A400 nA1.47 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6055НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V400 A600 nA1.66 kWSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы