Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DZ3600S17K3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 3.6KA | Да | Single | IHM190 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
DZ800S17K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 800A | Да | Single | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100A | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12ME4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12PT4_B26 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L400R07ME4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L400R07ME4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L400R12PT4_B26 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 75A | Да | Tray | ||||||||||||||
F4-50R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F4-75R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F5-75R06KE3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FB20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »