Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
PHE13003A,412WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1AНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle400 V700 V9 V0.4 V1 A+ 150 C
PHE13003C,126WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT Single NPN 1.5A 2.1WНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle400 V700 V9 V1.5 V1.5 A+ 150 C
PHE13003C,412WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT Silicon diffused power transistorНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle400 V700 V9 V1.5 V1.5 A+ 150 C
PHE13005,127WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT RAIL BIPOLARНетSiThrough HoleTO-220AB-3NPNSingle400 V700 V9 V0.3 V4 A+ 150 C
PHE13005X/01,127WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT Silicon diffused pwr transistorНетSiThrough HoleTO-220F-3NPNSingle400 V700 V0.3 V4 A+ 150 C
PHE13007,127WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT RAIL PWR-MOSНетSiThrough HoleTO-220AB-3NPNSingle400 V700 V9 V0.51 V8 A+ 150 C
PHE13009/DG,127WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT NPN POWER TRANSISTORНетSiThrough HoleTO-220AB-3NPNSingle400 V700 V0.32 V12 A+ 150 C
PHE13009,127WeEn SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT RAIL PWR-MOSНетSiThrough HoleTO-220AB-3NPNSingle400 V700 V0.32 V12 A+ 150 C
PHPT60406NYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V 6A NPN high pwr bipolar transistorНетSiSMD/SMTLFPAK56-5NPNSingle40 V40 V7 V240 mV14 A153 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT60406PYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V 6A PNP high pwr bipolar transistorНетSiSMD/SMTLFPAK56-5PNPSingle- 40 V- 40 V- 8 V- 350 mV- 12 A110 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT60415NYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 15A NPN High Power Bipolar TransistorНетSiSMD/SMTPowerSO-8NPNSingle40 V40 V7 V420 mV30 A105 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT60415PYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 15A NPN High Power Bipolar TransistorНетSiSMD/SMTLFPAK56-5PNPSingle- 40 V- 40 V- 8 V- 375 mV- 30 A80 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT60610NYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 10A NPN High Power Bipolar TransistorНетSiSMD/SMTPowerSO-8NPNSingle60 V60 V7 V250 mV20 A140 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT60610PYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 10A PNP High Power Bipolar TransistorНетSiSMD/SMTPowerSO-8PNPSingle- 60 V- 60 V- 8 V- 290 mV- 20 A85 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT61010NYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 100V 10A NPN high power bipolarНетSiSMD/SMTLFPAK56-5NPNSingle100 V100 V7 V250 mV20 A145 MHz- 55 C+ 175 C
PHPT61010PYXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 100V 10A PNP High Power TransistorНетSiLFPAK56-5
PMBT2222AYSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double NPN Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6NPNDual40 V75 V6 V1 V800 mA300 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT2907AYSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 60V Double PNP Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6PNPDual- 40 V- 60 V- 5 V- 1.6 V- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT4401YSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double NPN Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6NPNDual40 V60 V6 V750 mV800 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT4403YSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double PNP Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6PNPDual- 40 V- 40 V- 5 V- 750 mV- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
PMSTA56/8XNexperiaБиполярные транзисторы - BJT PMSTA56/8/SOT323/SC-70ДаSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 80 V- 80 V- 5 V- 250 mV- 500 mA50 MHz- 65 C+ 150 C
BC807-16 RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC807-xx
BC807-16W RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-323-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A80 MHz- 55 C+ 150 C
BC807-25W RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-323-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A80 MHz- 55 C+ 150 C
BC807-40 RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC807-xx

Страницы