Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N3810/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3810L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3810U/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3838/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTFlatpack-6NPN, PNPDual40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N3868Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle60 V60 V4 V500 mV3 mA- 65 C+ 200 C
2N4029Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle80 V80 V5 V500 mV150 MHz- 55 C+ 200 C
2N4033/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V80 V5 V1 V1 A- 65 C+ 200 C
2N4033UA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle80 V80 V5 V1 V1 A- 65 C+ 200 C
2N4150Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle70 V100 V10 V600 mV10 A- 65 C+ 200 C
2N4261/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-72-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N4261UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N4300Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V100 V6 V0.3 V30 MHz
2N4449/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle20 V6 V6 V0.45 V- 65 C+ 200 C
2N4854U/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTU-6NPN, PNPDual40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N4957UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 30 V- 30 V- 3 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N5151Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V100 V5.5 V750 mV2 A- 65 C+ 200 C
2N5152Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V100 V5.5 V750 mV2 A- 65 C+ 200 C
2N5154Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V100 V5.5 V750 mV2 A- 65 C+ 200 C
2N5415Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle200 V200 V6 V2 V- 65 C+ 200 C
2N5415SMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle200 V200 V6 V2 V1 A- 65 C+ 200 C
2N5416Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle300 V350 V6 V2 V- 65 C+ 200 C
2N5416U4Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiSMD/SMTSMD-0.22-3PNPSingle80 V350 V6 V2 V1 A- 65 C+ 200 C
2N5581/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AB-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N5582/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle50 V75 V6 V1 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N5782Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle50 V65 V5 V0.75 V8 MHz

Страницы