Всего результатов: 691
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRF8VP13350NR5 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.3 A | - 500 mV, 100 V | 19.2 dB | 350 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-4L | Reel | |||
MRFE6VP5600-225 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VP5600-225 | Нет | Si | SMD/SMT | NI-1230 | |||||||||||
MRFE6VP5600-434 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VP5600-434 | Нет | Si | SMD/SMT | NI-1230 | |||||||||||
MRFE6VP6300-230 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VP6300-230 | Нет | Si | SMD/SMT | NI-780 | |||||||||||
MRFE6VP6300-88 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VP6300-88 | Нет | N-Channel | Si | 130 V | 26.5 dB | + 150 C | SMD/SMT | NI-780 | |||||||
MRFE6VS25GN-960 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VS25GN-960 | Да | N-Channel | Si | 142 V | 27 dB | 25 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270-2 | |||||
MRFE8VP8600HSR5 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 115 V | 21 dB | 140 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230S-4S | Cut Tape, Reel | |||
MRFX035HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V | Нет | N-Channel | Si | 100 mA | 193 V | 24.8 dB | 35 W | - 40 C | + 150 C | Screw Mount | NI-360H-2SB | Cut Tape, Reel | |||
MRFX1K80GNR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230G-4L | Cut Tape, Reel | |||
MRFX1K80N-230MHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N-230MHZ | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | ||||
MRFX1K80N-88MHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit | Да | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | ||||
MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | Cut Tape, Reel | |||
MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780GS-4L | Cut Tape, Reel | |||
MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | Screw Mount | NI-780H-4L | Cut Tape, Reel | |||
MRFX600HSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L | Cut Tape, Reel | |||
QPD1025 | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN | Нет | Dual N-Channel | GaN SiC | 28 A | 65 V | 22.5 dB | 1.862 kW | - 40 C | + 85 C | NI-1230-4 | Tray | ||||
TGF2929-FS | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы DC-3.5GHz 100W 28V GaN | Нет | N-Channel | GaN SiC | 12 A | 28 V | 14 dB | 107 W | Tray | |||||||
TGF3020-SM | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN | Нет | GaN SiC | Tray | ||||||||||||
TGF3021-SM | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans | Нет | GaN SiC | |||||||||||||
A2T07D160W04SR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V | Нет | Si | Cut Tape, Reel | ||||||||||||
A2T07H310-24SR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V | Нет | Si | Reel | ||||||||||||
A2T09D400-23NR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | Да | N-Channel | Si | 2.7 A | - 500 mV, 70 V | 17.9 dB | 93 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L2S-7 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
A2T14H450-23NR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W Avg., 31 V | Да | Dual N-Channel | Si | 3 A | - 500 mV, 65 V | 18.8 dB | 93 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L2S | Reel | |||
A2T18H160-24SR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V | Да | N-Channel | Si | 600 mA, 1 A | - 500 mV, 65 V | 17.9 dB | 28 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L2L-6 | Reel | |||
A2T18H410-24SR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | Нет | Si | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »