Всего результатов: 691
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFM01U7P(TE12L,F) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | Нет | N-Channel | Si | 1 A | 20 V | 10.8 dB | 1.2 W | SMD/SMT | PW-Mini-3 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
RFM04U6P(TE12L,F) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V | Нет | N-Channel | Si | 2 A | 16 V | 13.3 dB | 4.3 W | SMD/SMT | PW-Mini-3 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | Нет | N-Channel | GaN Si | 19 mA | 150 V | 16.5 dB | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-400S-2 | Reel | ||||
A2T21H140-24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1 A | - 500 mV, 65 V | 17.4 dB | 36 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Cut Tape, Reel | |||
A2T21H360-23NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.4 A | - 500 mV, 5 V | 16.8 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | Reel | |||
A2T23H200W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.8 A | - 500 mV, 65 V | 15.5 dB | 51 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4 | Cut Tape, Reel | |||
A2V07H400-04NR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.1 A | - 500 mV, 105 V | 19.9 dB | 107 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-4L | Reel | |||
A2V07H525-04NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 17.5 dB | 120 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L | Reel | |||
A3G18H500-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 200 mA | 125 V | 15.4 dB | 107 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L | Reel | |||
A3G20S250-01SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V | Да | N-Channel | GaN Si | 250 mA | 150 V | 18.2 dB | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-400S-2 | Cut Tape, Reel | ||||
A3G22H400-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V | Нет | Dual N-Channel | GaN | 29.7 mA | 150 V | 15.3 dB | 79 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Reel | |||
A3T18H360W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.4 A | - 500 mV, 65 V | 16.6 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 16.7 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T19H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 16.4 dB | 81 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T21H400W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.2 A | - 500 mV, 65 V | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4 | Reel | |||||
A3T21H450W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 15.4 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T21H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 15 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T21H456W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.6 A, 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 15.5 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T23H300W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.2 A | - 5 V, 65 V | 15.6 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | |||
A3T23H450W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | - 0.5 V, 65 V | 14.7 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | ||||
AFIC10275NR5 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | Да | N-Channel | Si | 1.6 A | - 500 mV, 100 V | 32.1 dB | 250 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WB-14 | Cut Tape, Reel | |||
AFIC31025GNR1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V | Да | Dual N-Channel | Si | 200 mA | - 500 mV, 65 V | 31.9 dB | 25 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WBG-17 | Reel | |||
AFIC31025NR1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V | Да | Dual N-Channel | Si | 200 mA | - 500 mV, 65 V | 31.9 dB | 25 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WB-17 | Reel | |||
AFT27S012NT1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V | Да | N-Channel | Si | 154 mA | - 500 mV, 65 V | 20.9 dB | 1.26 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | PLD-1.5W | Cut Tape, Reel | |||
AFT31150NR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 150W 2700-3100MHz | Нет | N-Channel | Si | 1.8 A | - 500 mV, 65 V | 17 dB | 150 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-2L | Cut Tape, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »