Вы здесь

РЧ МОП-транзисторы

Всего результатов: 691
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПолярность транзистора Технология Id - непрерывный ток утечки Vds - напряжение пробоя сток-исток Rds Вкл - сопротивление сток-исток сортировать по убываниюУсиление Выходная мощность Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
RFM01U7P(TE12L,F)ToshibaРЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20VНетN-ChannelSi1 A20 V10.8 dB1.2 WSMD/SMTPW-Mini-3Cut Tape, MouseReel, Reel
RFM04U6P(TE12L,F)ToshibaРЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16VНетN-ChannelSi2 A16 V13.3 dB4.3 WSMD/SMTPW-Mini-3Cut Tape, MouseReel, Reel
A2G22S190-01SR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 VНетN-ChannelGaN Si19 mA150 V16.5 dB- 55 C+ 150 CSMD/SMTNI-400S-2Reel
A2T21H140-24SR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 VНетDual N-ChannelSi1 A- 500 mV, 65 V17.4 dB36 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTNI-780S-4Cut Tape, Reel
A2T21H360-23NR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 VНетDual N-ChannelSi2.4 A- 500 mV, 5 V16.8 dB63 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTOM-1230-4Reel
A2T23H200W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 VНетDual N-ChannelSi1.8 A- 500 mV, 65 V15.5 dB51 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4Cut Tape, Reel
A2V07H400-04NR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 VНетDual N-ChannelSi2.1 A- 500 mV, 105 V19.9 dB107 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTOM-780-4LReel
A2V07H525-04NR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 VНетDual N-ChannelSi2.8 A- 500 mV, 105 V17.5 dB120 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTOM-1230-4LReel
A3G18H500-04SR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 VНетDual N-ChannelSi200 mA125 V15.4 dB107 W- 55 C+ 150 CSMD/SMTNI-780S-4LReel
A3G20S250-01SR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 VДаN-ChannelGaN Si250 mA150 V18.2 dB- 55 C+ 150 CSMD/SMTNI-400S-2Cut Tape, Reel
A3G22H400-04SR3NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48VНетDual N-ChannelGaN29.7 mA150 V15.3 dB79 W- 55 C+ 150 CSMD/SMTNI-780S-4Reel
A3T18H360W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 VНетDual N-ChannelSi2.4 A- 500 mV, 65 V16.6 dB63 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SCut Tape, Reel
A3T18H455W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi3.6 A- 500 mV, 65 V16.7 dB87 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SReel
A3T19H455W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi3.6 A- 500 mV, 65 V16.4 dB81 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SReel
A3T21H400W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 VНетDual N-ChannelSi3.2 A- 500 mV, 65 V- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4Reel
A3T21H450W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi3.6 A- 500 mV, 65 V15.4 dB87 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SReel
A3T21H455W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi3.6 A- 500 mV, 65 V15 dB87 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SReel
A3T21H456W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30VНетDual N-ChannelSi1.6 A, 3.6 A- 500 mV, 65 V15.5 dB87 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SReel
A3T23H300W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi3.2 A- 5 V, 65 V15.6 dB63 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SCut Tape, Reel
A3T23H450W23SR6NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 VНетDual N-ChannelSi- 0.5 V, 65 V14.7 dB87 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTACP-1230S-4L2SCut Tape, Reel
AFIC10275NR5NXP / FreescaleРЧ МОП-транзисторы Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 VДаN-ChannelSi1.6 A- 500 mV, 100 V32.1 dB250 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTTO-270WB-14Cut Tape, Reel
AFIC31025GNR1NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 VДаDual N-ChannelSi200 mA- 500 mV, 65 V31.9 dB25 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTTO-270WBG-17Reel
AFIC31025NR1NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 VДаDual N-ChannelSi200 mA- 500 mV, 65 V31.9 dB25 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTTO-270WB-17Reel
AFT27S012NT1NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 VДаN-ChannelSi154 mA- 500 mV, 65 V20.9 dB1.26 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTPLD-1.5WCut Tape, Reel
AFT31150NR5NXP SemiconductorsРЧ МОП-транзисторы 150W 2700-3100MHzНетN-ChannelSi1.8 A- 500 mV, 65 V17 dB150 W- 40 C+ 150 CSMD/SMTOM-780-2LCut Tape, Reel

Страницы