Всего результатов: 691
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
D2229UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE | Нет | N-Channel | Si | 2 A | 40 V | 10 dB | 2.5 W | + 150 C | SMD/SMT | F-0127-8 | |||||
D2254UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz PP | Нет | N-Channel | Si | 4 A | 40 V | 10 dB | 10 W | + 150 C | SMD/SMT | DBC4 | |||||
D5001UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE | Нет | N-Channel | Si | 3 A | 125 V | 16 dB | 20 W | + 150 C | SMD/SMT | DA | |||||
D5006UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE | Да | N-Channel | Si | 21 A | 125 V | 13 dB | 150 W | + 150 C | SMD/SMT | DV | |||||
D5011UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE | Нет | N-Channel | Si | 3 A | 125 V | 13 dB | 10 W | + 150 C | SMD/SMT | SO-8 | |||||
D5013UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE | Нет | N-Channel | Si | 3 A | 125 V | 13 dB | 20 W | + 150 C | SMD/SMT | DP | |||||
D5017UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE | Да | N-Channel | Si | 18 A | 125 V | 10 dB | 150 W | + 150 C | SMD/SMT | DM | |||||
D5029UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 350W-50V-175MHz PP | Да | N-Channel | Si | 21 A | 125 V | 13 dB | 350 W | + 150 C | SMD/SMT | DR | |||||
D5030UK | Semelab / TT Electronics | РЧ МОП-транзисторы Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE | Да | N-Channel | Si | 24 A | 125 V | 16 dB | 400 W | + 150 C | SMD/SMT | DR | |||||
AGR09030EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 4.25 A | 65 V | - 65 C | + 200 C | Tray | |||||||
BLF378 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 18 A | 125 V | 300 mOhms | - 65 C | + 200 C | SMD/SMT | SOT-262A | Tray | ||||
MRF151GC | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 40 A | 125 V | - 65 C | + 200 C | SMD/SMT | SOT-262A | Tray | |||||
MRF172 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 9 A | 65 V | - 65 C | + 200 C | SMD/SMT | 211-07-3 | Tray | |||||
MRF174 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 13 A | 65 V | - 65 C | + 200 C | SMD/SMT | 221-11-3 | Tray | |||||
MRF9045LR1 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | N-Channel | Si | 4.25 A | 65 V | 18.8 dB | 60 W | SMD/SMT | NI-360 | Tray | |||||
MMRF5014H-500MHZ | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit | Нет | P-Channel | GaN SiC | 350 mA | 150 V | 18 dB | 125 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-360H-2SB |