Всего результатов: 373
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Серия | Тип транзистора | Технология | Полярность транзистора | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | Непрерывный коллекторный ток | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Конфигурация | Вид монтажа | Упаковка / блок | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1214-30 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы L-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Bipolar | Si | NPN | 20 | 50 V | 3.5 V | 4 A | + 200 C | Single | SMD/SMT | 55AW-1 | ||||||
2307 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы | Да | Si | ||||||||||||||||
2729-125 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729-170 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729GN-150 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729GN-270 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731-20 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731GN-110M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731GN-200M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2735GN-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2735GN-35M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
3135GN-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
3135GN-170M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MDS800 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MRF4427R2 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы RF NPN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MS3022 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Comm/Bipolar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
SRF4427 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor | Да | Si | ||||||||||||||||
STBV32-AP | STMicroelectronics | РЧ биполярные транзисторы HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | Да | STBV32 | Bipolar | Si | NPN | 400 V | 9 V | 1.5 A | - 65 C | + 150 C | Single | Through Hole | TO-92AP | |||||
NESG2101M05-EVPW24-A | Renesas Electronics | РЧ биполярные транзисторы Silicon Germanium Amp. and Oscillator | Да | Bipolar | SiGe | NPN | ||||||||||||||
NESG3032M14-EVNF24 | Renesas Electronics | РЧ биполярные транзисторы Silicon Germanium Amp and Oscillator | Да | Bipolar | SiGe | |||||||||||||||
BFY64004PZZZA1 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы HIREL | Да | Si | ||||||||||||||||
MRF10031 | MACOM | РЧ биполярные транзисторы | Да | Bipolar Power | Si | NPN | 20 | 55 V | 3.5 V | 3 A | - 65 C | + 200 C | Single | 332A-3 | ||||||
MRF10120 | MACOM | РЧ биполярные транзисторы | Да | Bipolar Power | Si | NPN | 20 | 55 V | 3.5 V | 15 A | - 65 C | + 200 C | Single | 355C-2 | ||||||
MRF10502 | MACOM | РЧ биполярные транзисторы 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 20 | 65 V | 3.5 V | 29 A | - 65 C | + 200 C | Single | 355J-2 |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »