Всего результатов: 904
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Вид монтажа | Упаковка / блок | Серия | Размер памяти | Тип интерфейса | Организация | Тип синхронизации | Ширина шины данных | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 2T 256GX8 FBGA QDP | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 2 Tbit | 256 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EUHBFM4-T:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F4T08EQHBFG8-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EQHBFG8-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 FBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F8T08EWHBFM5-T:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F8T08EWHBFM5-T:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 8T 1TX8 LBGA 16DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F2T08ELHBFG7-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 2 Tbit | 256 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F2T08ELHBFG7-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 2T 256GX8 FBGA QDP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 2 Tbit | 256 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 1 Tbit | 128 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | |||||
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 FBGA DDP | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 1 Tbit | 128 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
MT29F8T08ESHBFG4-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F8T08ESHBFG4-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 FBGA | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G Die 64GX8 | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 512 Gbit | Parallel | 64 G x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES | Micron | Флеш-память NAND TLC 256G Die 32GX8 | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 256 Gbit | Parallel | 32 G x 8 | Asynchronous, Synchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58BVG1S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58BVG2S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TC58NVG0S3ETA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG0S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58NVG1S3ETA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG1S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58NVG2S0FTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 8 Gbit | Parallel | 1 G x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »