Всего результатов: 1073
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Вид монтажа | Упаковка / блок | Серия | Размер памяти | Тип интерфейса | Организация | Тип синхронизации | Ширина шины данных | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT29F8T08ESHBFG4-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F8T08ESHBFG4-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 FBGA | Нет | SMD/SMT | MT29F | 8 Tbit | 1 T x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G Die 64GX8 | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 512 Gbit | Parallel | 64 G x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES | Micron | Флеш-память NAND TLC 256G Die 32GX8 | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 256 Gbit | Parallel | 32 G x 8 | Asynchronous, Synchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58BVG1S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58BVG2S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TC58NVG0S3ETA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG0S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 1 Gbit | Parallel | 128 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58NVG1S3ETA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG1S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 2 Gbit | Parallel | 256 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TC58NVG2S0FTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG2S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TC58NVG2S3ETA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG3S0FTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 8 Gbit | Parallel | 1 G x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 8 Gbit | Parallel | 1 G x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TH58DVG5S0ETA2 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 32Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 32 Gbit | Parallel | 4 G x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | |||||
TH58NVG3S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 8 Gbit | Parallel | 1 G x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TH58NVG4S0FTA20 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 16 Gbit | Parallel | 2 G x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TH58NVG4S0HTA20 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 16 Gbit | Parallel | 2 G x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TH58NVG5S0FTA20 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 32 Gbit | Parallel | 4 G x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray |