Вы здесь

МОП-транзистор

Всего результатов: 18990
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Количество каналов Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Id - непрерывный ток утечки Rds Вкл - сопротивление сток-исток Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Vgs - напряжение затвор-исток Qg - заряд затвора Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Конфигурация Канальный режим Квалификация Коммерческое обозначение Упаковка
TK10A55D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10AНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel550 V10 A720 mOhms45 WSingleMOSVII
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор МОП-транзистор N-ch 600V 10AНетSiThrough HoleTO-220SIS-31 ChannelN-Channel600 V10 A750 mOhms2 V10 V25 nC+ 150 C45 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK10A60E,S4XToshibaМОП-транзистор PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SISНетSiDTMOSIV
TK10A60E,S5XToshibaМОП-транзистор PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SISНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel600 V10 A750 mOhms40 nC45 WSingleDTMOSIV
TK10A60W5,S5VXToshibaМОП-транзистор Power МОП-транзистор N-ChannelНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel600 V9.7 A350 mOhms3 V30 V25 nC- 55 C+ 150 C30 WSingleEnhancementDTMOSIVTube
TK10A60W,S4VXToshibaМОП-транзистор N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nCНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel600 V9.7 A327 mOhms3.7 V30 V20 nC30 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK10A80E,S4XToshibaМОП-транзистор PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SISНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel800 V10 A700 mOhms4 V30 V46 nC- 55 C+ 150 C50 WSingleEnhancementMOSVIII
TK10A80W,S4XToshibaМОП-транзистор N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40WНетSiThrough HoleTO-220SIS-31 ChannelN-Channel800 V9.5 A460 mOhms3 V20 V19 nC+ 150 C40 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK10E60W,S1VXToshibaМОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nCНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel600 V9.7 A380 mOhms3.7 V30 V20 nC- 55 C+ 150 C100 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK10J80E,S1EToshibaМОП-транзистор PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PNНетSiThrough HoleTO-3PN-31 ChannelN-Channel800 V10 A700 mOhms4 V30 V46 nC- 55 C+ 150 C250 WSingleEnhancementMOSVIII
TK10P60W,RVQToshibaМОП-транзистор N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nCНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel600 V9.7 A380 mOhms3.7 V30 V20 nC- 55 C+ 150 C80 WSingleEnhancementDTMOSIVCut Tape, MouseReel, Reel
TK10Q60W,S1VQToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7AНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel600 V9.7 A327 mOhms3.7 V30 V20 nC- 55 C+ 150 C80 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028НетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel40 V10 A28 mOhms25 WSingleU-MOSIVReel
TK10V60W,LVQToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7AНетSiSMD/SMTDFN8x8-51 ChannelN-Channel600 V9.7 A380 mOhms88.3 WSingleDTMOSIVCut Tape, MouseReel, Reel
TK11A45D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel450 V11 A500 mOhms30 V20 nC- 55 C+ 150 C40 WSingleMOSVII
TK11A50D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohmНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel500 V11 A600 mOhms45 WSingleMOSVII
TK11A55D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhmsНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel500 V11 A520 mOhms25 WSingleMOSVII
TK11A60D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel600 V11 A650 mOhms45 WSingle
TK11A65W,S5XToshibaМОП-транзистор МОП-транзистор NChannel 0.33ohm DTMOSНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel650 V11.1 A330 mOhms3.5 V30 V25 nC- 55 C+ 150 C35 WSingleEnhancementDTMOSIV
TK11P65W,RQToshibaМОП-транзистор Power МОП-транзистор N-ChannelНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel650 V11.1 A350 mOhms2.5 V30 V25 nC- 55 C+ 150 C100 WSingleEnhancementDTMOSIVCut Tape, MouseReel, Reel
TK12A45D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel450 V12 A520 mOhms45 WSingleMOSVII
TK12A50D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52НетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel500 V12 A520 mOhms2 V10 V25 nC+ 150 C45 WSingleEnhancementMOSVII
TK12A50E,S4X(SToshibaМОП-транзистор POWER МОП-транзистор N CH 250VНетSi1 ChannelN-ChannelSingleDTMOSIVTube
TK12A53D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel525 V12 A580 mOhms45 WSingleMOSVII
TK12A55D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel550 V12 A570 mOhms45 WSingleMOSVII

Страницы