Всего результатов: 1699
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STIB1060DM2T-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 10 A, 0.20 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 | Нет | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | 0.98 V | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | STIB1060DM2T-L | Tube | ||||
STIB1560DM2-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SDIP2B-26L | Да | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 150 C | STIB1560DM2T-L | Tube | |||||
STIB1560DM2T-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 15 A, 0.150 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 | Нет | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | 0.98 V | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | STIB1560DM2T-L | Tube | ||||
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 75 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY2BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 50 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY1BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4 V | - 10 V, 20 V | Press Fit | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4 V | - 10 V, 20 V | Press Fit | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 50 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY1BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 6 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF8MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyPACK Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
IXFN94N50P2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHHIPERFETPOLAR2 (MI | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Screw Mount | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTF1R4N450 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCH STD-VERYHIVOLT | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | ISOPLUS i4-Pak | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH12N70X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH140N075L2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH20N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH24N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH2N300P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH30N25L2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH34N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH3N200P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH44N25L2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH48N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTH62N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »