Всего результатов: 1699
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSEP6-06BS-TUB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED | Нет | Diode Power Modules | Fast Recovery | 3.3 V | 600 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
DSEP60-12AZ-TUB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED | Нет | Diode Power Modules | Fast Recovery | 3.18 V | 1200 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
DSEP60-12B | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED | Нет | Diode Power Modules | Fast Recovery | 3.9 V | 1200 V | Through Hole | TO-247-2 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
DSEP90-12AZ-TUB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED | Нет | Diode Power Modules | Fast Recovery | 3.27 V | 1200 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXTN90P20P | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули -90.0 Amps -200V 0.044 Rds | Нет | Diode Power Modules | Single Switch MOSFET Module | SMD/SMT | SOT-227B | - 55 C | + 150 C | IXTN90P20 | Tube | |||||
IXXH30N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH40N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH80N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXP12N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXX140N65B4H1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | Genx4 | 20 V | Through Hole | PLUS247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH12N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N170C | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH24N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH8N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYK30N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYP10N65B3D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 | Нет | Diode Power Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
MDA72-08N1B | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули BIPOLAR MODULE - TO-240AA | Нет | Diode Power Modules | Diode Module | 1.6 V | Screw Mount | TO-240AA | - 40 C | + 150 C | ||||||
MDD72-16N1B | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 72 Amps 1600V | Нет | Diode Power Modules | Diode Module | 1.6 V | 1.6 kV | Screw Mount | TO-240 AA | - 40 C | + 150 C | MDD72 | Bulk | |||
MDD72-18N1B | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 72 Amps 1800V | Нет | Diode Power Modules | Diode Module | 1.6 V | 1.8 kV | Screw Mount | TO-240 AA | - 40 C | + 150 C | MDD72 | Bulk | |||
MDMA240UB1600ED | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 1600VRRM 240A IDAV 3PH BRIDGE W/BREAK | Нет | Diode Power Modules | 1.92 V | 1600 V | Screw Mount | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MDMA900U1600PTEH | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 1600VRSM 900A IDAVM 3PH BRIDGE | Нет | Diode Power Modules | Rectifier Bridge + NTC | 1.92 V | 1600 V | Screw Mount | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | MDMA900U1600PTEH | Bulk | |||
MDNA240U2200ED | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 2200V 240A 3 Rectifier Bridge | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 1.9 V | 2200 V | Screw Mount | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »