Вы здесь

Стабилитроны

Всего результатов: 40265
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSVz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Pd - рассеивание мощности Допустимое отклонение напряжения Температурный коэффициент напряжения Зенеровский ток Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Конфигурация Ток испытаний Квалификация Упаковка Серия
1N5956CMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-41-21.25 W2 %7 mA1200 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.9 mABulk
1N5956DMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-41-21.25 W1 %7 mA1200 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.9 mABulk
1N6031BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VAxialDO-35-20.5 W5 %0.11 %/C2.5 mA2000 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1 mABulk
1N6031B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %0.11 %/C2.5 mA2000 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1 mAReel
1N6355/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-35-20.5 W5 %0.11 %/C2.1 mA1800 Ohms- 65 C+ 175 CSingle0.65 mAReel
1N992BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %0.11 %/C5 uA2.5 kOhms- 65 C+ 175 CSingleBulk
1N992B-1Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %0.11 %/C1.8 mA2500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle0.65 mABulk
1N992B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %0.11 %/C1.8 mA2500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle0.65 mAReel
CDLL4496Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-41-21.5 W5 %7.2 mA1500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.2 mABulk
CDLL4496/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTDO-213AB-21.5 W5 %7.2 mA8000 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.2 mAReel
CDLL5281B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTDO-213AA-2500 mW5 %0.011 %/C0.1 uA2500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle0.65 mAReel
JAN1N4496CUSMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5A-21.5 W2 %7.2 mA1500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.2 mABulk
JAN1N4496DMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VAxialDO-41-21.5 W1 %7.2 mA1500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.2 mABulk
JAN1N4496DUSMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5A-21.5 W1 %7.2 mA1500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1.2 mABulk
JAN1N4989CMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VAxialE-Package-25 W2 %0.11 %/C23.6 mA500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mABulk
JAN1N4989CUSMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5B-25 W2 %0.11 %/C23.6 mA500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mABulk
JAN1N4989DMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VAxialE-Package-25 W1 %0.11 %/C23.6 mA500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mABulk
JAN1N4989DUSMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5B-25 W1 %0.11 %/C23.6 mA500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mABulk
JANTX1N4496Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VThrough HoleDO-41-21.5 W5 %-250 nA1.5 kOhms- 65 C+ 175 CSingleBulk
JANTX1N4989US/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5B-25 W5 %0.11 %/C23.6 mA500 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mA
JANTXV1N4989USMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа200 VSMD/SMTD-5B-25 W5 %0.11 %/C2 uA500 Ohms- 65 C+ 175 C5 mABulk
UZ4120Microchip / MicrosemiСтабилитроныДа200 VThrough Hole5 W5 %5 uA500 Ohms- 65 C+ 175 C5 mA
UZ8120Microchip / MicrosemiСтабилитроныДа200 VThrough Hole1 W5 %0.1 %/C0.5 uA1500 Ohms- 65 C+ 175 C1.2 mA
Z200-BRectronСтабилитроны 1.0W 200V 20%Нет200 VThrough HoleDO-411 W20 %1 A1.7 kOhms- 55 C+ 150 CSingle1.2 mABulkZ2
Z200-TRectronСтабилитроны 1.0W 200V 20%Нет200 VThrough HoleDO-411 W20 %1 A1.7 kOhms- 55 C+ 150 CSingle1.2 mAReelZ2

Страницы