Вы здесь

Стабилитроны

Всего результатов: 40265
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSVz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Pd - рассеивание мощности Допустимое отклонение напряжения Температурный коэффициент напряжения Зенеровский ток Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Конфигурация Ток испытаний Квалификация Упаковка Серия
1N5239B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %3 uA10 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mACut Tape, Reel
1N5239BE3/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %3 uA10 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mAReel
1N5239BUR-1Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VSMD/SMTDO-213AB-2500 mW5 %0.068 %/C3 uA10 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mABulk
1N5346/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W20 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W20 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346A/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W10 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346A/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W10 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ae3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W10 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ae3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W10 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ae3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W10 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346B/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W5 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Be3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W5 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Be3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W5 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Be3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W5 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346C/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W2 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346C/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleT-18-25 W2 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ce3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W2 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ce3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W2 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346Ce3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W2 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346e3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W20 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346e3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W20 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5346e3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет9.1 VThrough HoleT-18-25 W20 %-7.5 uA2 Ohms- 65 C+ 150 CSingle150 mAReel
1N5529BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %42 mA45 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1 mABulk
1N5529BUR-1/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %42 mA45 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1 mAReel
1N5924BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа9.1 VThrough HoleDO-41-21.25 W5 %164 mA4 Ohms- 65 C+ 175 CSingle41.2 mABulk

Страницы