Вы здесь

Стабилитроны

Всего результатов: 40265
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSVz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Pd - рассеивание мощности Допустимое отклонение напряжения Температурный коэффициент напряжения Зенеровский ток Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Конфигурация Ток испытаний Квалификация Упаковка Серия
1N4731AUR/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTDO-213AB-21 W5 %10 uA9 Ohms- 65 C+ 175 CSingle58 mAReel
1N5229AMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VAxialDO-7-20.5 W10 %0.055 %/C22 Ohms- 65 C+ 200 CSingle20 mABulk
1N5229BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-7500 mW5 %0.055 %/C5 uA22 Ohms- 65 C+ 200 CSingle20 mABulk
1N5229B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %5 uA22 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mACut Tape, Reel
1N5229BUR-1Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTDO-213AB-2500 mW5 %0.055 %/C5 uA22 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mABulk
1N5239BE3Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет4.3 VThrough HoleDO-7-20.5 W5 %0.055 %/C22 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mABulk
1N5521BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %88 mA18 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mABulk
1N5916AMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-41-21.25 W10 %348 mA6 Ohms- 65 C+ 175 CSingle87.2 mABulk
1N5916B-1/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-41-21.5 W5 %348 mA6 Ohms- 65 C+ 175 CSingle87.2 mAReel
1N5916B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-41-21.5 W5 %348 mA6 Ohms- 65 C+ 175 CSingle87.2 mAReel
1N5916CMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-41-21.25 W2 %348 mA6 Ohms- 65 C+ 175 CSingle87.2 mABulk
1N5916DMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-41-21.25 W1 %348 mA6 Ohms- 65 C+ 175 CSingle87.2 mABulk
1N5991/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW20 %- 0.01 %/C116 mA90 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel
1N5991CE3Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW2 %- 0.01 %/C116 mA88 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mABulk
1N5991CE3/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW2 %- 0.01 %/C116 mA88 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel
1N5991D/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW1 %- 0.01 %/C116 mA88 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel
1N5991UR-1/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTDO-213AA-2500 mW20 %- 0.01 %/C116 mA90 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel
1N6315US/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTB-SQ-MELF-20.5 W5 %- 0.045 %/C / 0.02 %/C99 mA20 Ohms- 65 C+ 175 CSingle20 mAReel
1N6488USMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTD-5A-21.5 W5 %5 uA9 Ohms- 65 C+ 175 C58 mABulk
1N6635USMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTD-5B-25 W5 %- 0.05 %/C25 uA2 Ohms- 65 C+ 175 C290 mABulk
1N6635US/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTD-5B-25 W5 %0.050 %/C1100 mA2 Ohms- 65 C+ 175 CSingle290 mAReel
1N749A-1Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %- 0.055 %/C, 0.02 %/C2 uA18 Ohms- 65 C+ 175 CSingleBulk
1N749A-1/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-20.5 W5 %- 0.055 %/C / 0.02 %/C90 mA18 Ohms- 65 C+ 175 CSingleReel
1N749A/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VThrough HoleDO-35-20.5 W5 %- 0.055 %/C / 0.02 %/C90 mA18 Ohms- 65 C+ 175 CSingleCut Tape, Reel
BZV55C4V3/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа4.3 VSMD/SMTDO-213AA-25 %3 uA90 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel

Страницы