Вы здесь

Стабилитроны

Всего результатов: 40265
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSVz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Pd - рассеивание мощности Допустимое отклонение напряжения Температурный коэффициент напряжения Зенеровский ток Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Конфигурация Ток испытаний Квалификация Упаковка Серия
1N5364Ae3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W10 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364B/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleT-18-25 W5 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364B/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleT-18-25 W5 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Be3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W5 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Be3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W5 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Be3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W5 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364C/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleT-18-25 W2 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364C/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleT-18-25 W2 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Ce3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W2 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Ce3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W2 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364Ce3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W2 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364e3/TR12Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W20 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364e3/TR13Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W20 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5364e3/TR8Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныНет33 VThrough HoleT-18-25 W20 %-0.5 uA10 Ohms- 65 C+ 150 CSingle40 mAReel
1N5546BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %-10 nA100 Ohms- 65 C+ 175 CSingleBulk
1N5546B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %12 mA100 Ohms- 65 C+ 175 CSingle1 mAReel
1N5937AMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-41-21.25 W10 %45 mA33 Ohms- 65 C+ 175 CSingle11.4 mABulk
1N5937BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-41-21.25 W5 %45 mA33 Ohms- 65 C+ 175 CSingle11.4 mABulk
1N5937CMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-41-21.25 W2 %45 mA33 Ohms- 65 C+ 175 CSingle11.4 mABulk
1N5937DMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-41-21.25 W1 %45 mA33 Ohms- 65 C+ 175 CSingle11.4 mABulk
1N6012B/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-35-2500 mW5 %0.095 %/C15 mA88 Ohms- 65 C+ 175 CSingle5 mAReel
1N973A/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W10 %0.092 %/C12 mA58 Ohms- 65 C+ 175 CSingle3.8 mAReel
1N973B-1Microchip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VThrough HoleDO-204AH-20.5 W5 %0.092 %/C12 mA58 Ohms- 65 C+ 175 CSingle3.8 mABulk
BZV55C33/TRMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VSMD/SMTDO-213AA-25 %0.05 uA80 Ohms- 65 C+ 175 CSingle2 mAReel
CDLL3032BMicrochip / MicrosemiСтабилитроны СтабилитроныДа33 VSMD/SMTDO-213AB-21 W0.099 %/C28 mA45 Ohms- 55 C+ 175 CSingle7.5 mABulk

Страницы