Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IRGP4063PBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 96AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.14 V20 V96 A330 W- 55 CTube
IRGP4066D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V140 A454 W- 55 CTube
IRGP4066DPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V140 A454 W- 55 CTube
IRGP4068D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF DiodeНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle600 V2.14 V20 V96 A330 W- 55 CTube
IRGP4068DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF DiodeНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.14 V20 V96 A330 W- 55 CTube
IRGP4069D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEon Trench IGBTНетSiTO-247AD-3Through Hole600 V1.85 V20 V76 A268 WTube
IRGP4069DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 76AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V76 A268 W- 55 CTube
IRGP4266DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Lo VCEon Trench Co-Pack IGBTНетSiTO-247AC-3Through HoleSingle650 V1.7 V20 V140 A455 W- 40 C+ 175 CTube
IRGP4640D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nCНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V65 A250 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP4640DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nCНетSiTO-247AC-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V65 A250 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP4650D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nCНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V76 A268 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP4650DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nCНетSiTO-247AC-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V76 A268 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP4660D-EPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nCНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V100 A330 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP4660DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nCНетSiTO-247AC-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V100 A330 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGP50B60PD1PBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V75 A390 W- 55 CTube
IRGP50B60PDPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V20 V75 A370 W- 55 C+ 150 CTube
IRGP6690DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT TO-247НетSiTO-247AC-3Through HoleSingle600 V1.65 V20 V140 A483 W- 40 C+ 175 CTube
IRGPS46160DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFASTНетSiTO-274-3Through HoleSingle600 V1.7 V20 V240 A750 W- 55 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGPS60B120KDPInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHzНетSiTO-274-3Through HoleSingle1.2 kV2.33 V20 V105 A595 W- 55 C+ 150 CTube
IRGR2B60KDTRRPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEon Trench IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.95 V20 V6.3 A35 W- 55 C+ 150 CRCCut Tape, MouseReel, Reel
IRGR3B60KD2TRPInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETESНетSiTO-252AA-3SMD/SMTSingle600 V1.9 V20 V7.8 A52 W- 55 C+ 150 CRCCut Tape, MouseReel, Reel
IRGR3B60KD2TRRPInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETESНетSiTO-252AA-3SMD/SMTSingle600 V1.9 V20 V7.8 A52 W- 55 C+ 150 CRCCut Tape, MouseReel, Reel
IRGS30B60KTRRPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30AD2PAKНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.95 V20 V78 A370 W- 55 C+ 175 CCut Tape, MouseReel, Reel
IRGS4062DPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEonНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle600 V1.95 V20 V48 A250 W- 55 CTube
IRGS4064DTRLPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEon Trench IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTCut Tape, MouseReel, Reel

Страницы