Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура сортировать по убываниюМаксимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MKI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V90 A200 nA280 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MWI25-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V50 AE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MWI30-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V600 V45 A200 nA140 WE2-18- 40 C+ 150 CBulk
MWI50-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V85 AE2- 40 C+ 150 CBulk
MWI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V90 AE2- 40 C+ 150 CBulk
VII130-06P1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesDual600 V121 AECO-PAC 2- 40 C+ 150 CBulk
VS-ETF075Y60UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level InverterНетIGBT Silicon ModulesDual600 V109 A200 nA, 400 nA294 W- 40 C+ 150 C
VS-GA300TD60SVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНетHalf Bridge600 V1.24 V530 A200 nA1.136 kWINT-A-PAK- 40 C+ 150 C
VS-GB90SA120UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - SOT-227 IGBTНетSingle1.2 kV3.3 V149 A250 nA862 WSOT-227-4- 40 C+ 150 CTube
VS-GT200TP065NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBTНетHalf Bridge650 V1.9 V221 A600 nA600 WINT-A-PAK- 40 C+ 175 C
VS-GT300YH120NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНет1.2 kV2.17 V341 A400 nA1.042 kWINT-A-PAK- 40 C+ 150 C
VS-70MT060WHTAPBFVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBTНетIGBT Silicon ModulesDual600 V100 AMTP- 40 C+ 150 CBulk
VS-GA75TS120UPBFVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-BridgeНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V110 AINT-A-PAK- 40 C+ 150 CBulk
FAM65CR51DZ2ON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFETНетIGBT Silicon ModulesDual160 WAPMCD-B16-12- 40 C+ 125 CTube
FAM65HR51DS2ON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3НетIGBT Silicon ModulesQuad135 WAPMCA-B16-16- 40 C+ 125 CTube
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBTНетSiIGBT Silicon ModulesSplit-T600 V, 1200 V1.47 V, 2.15 V100 A, 160 A300 nA, 500 nA500 WQ2PACK- 40 C+ 125 CTray
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODEНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesDual1200 V2.2 V40 A200 nA103 WQ0BOOST- 40 C+ 125 CTray
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULEНетSiIGBT Silicon ModulesT-Type600 V, 1200 V1.4 V, 2.05 V49 A, 67 A200 nA, 300 nA158 WQ0PACK- 40 C+ 150 CTray
GB100XCP12-227GeneSiC SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPakНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesIGBT-Inverter1200 V1.9 V400 nASOT-227- 40 C+ 175 CBulk
FZ1000R33HL3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KAДаIGBT Silicon ModulesDual3300 V1000 AIHVB130- 50 C+ 150 CTray
FZ1500R33HL3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KAДаIGBT Silicon ModulesTriple3300 V1500 AIHVB190- 50 C+ 150 CTray
APT100GLQ65JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.85 V165 A150 nA430 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GLQ65JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.85 V165 A150 nA430 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GN120JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube

Страницы