Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MKI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 90 A | 200 nA | 280 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MWI25-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 50 A | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||||
MWI30-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 600 V | 45 A | 200 nA | 140 W | E2-18 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MWI50-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 85 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MWI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 90 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VII130-06P1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 121 A | ECO-PAC 2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level Inverter | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 109 A | 200 nA, 400 nA | 294 W | - 40 C | + 150 C | |||||||
VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.24 V | 530 A | 200 nA | 1.136 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | ||||||
VS-GB90SA120U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - SOT-227 IGBT | Нет | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 149 A | 250 nA | 862 W | SOT-227-4 | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||
VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | Нет | Half Bridge | 650 V | 1.9 V | 221 A | 600 nA | 600 W | INT-A-PAK | - 40 C | + 175 C | ||||||
VS-GT300YH120N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | 1.2 kV | 2.17 V | 341 A | 400 nA | 1.042 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | |||||||
VS-70MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 100 A | MTP | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VS-GA75TS120UPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 110 A | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
FAM65CR51DZ2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 160 W | APMCD-B16-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||||
FAM65HR51DS2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3 | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 135 W | APMCA-B16-16 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||||
NXH160T120L2Q2F2SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Split-T | 600 V, 1200 V | 1.47 V, 2.15 V | 100 A, 160 A | 300 nA, 500 nA | 500 W | Q2PACK | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
NXH80B120H2Q0SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 1200 V | 2.2 V | 40 A | 200 nA | 103 W | Q0BOOST | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
NXH80T120L2Q0S1G | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | T-Type | 600 V, 1200 V | 1.4 V, 2.05 V | 49 A, 67 A | 200 nA, 300 nA | 158 W | Q0PACK | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPak | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.9 V | 400 nA | SOT-227 | - 40 C | + 175 C | Bulk | |||||
FZ1000R33HL3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 1000 A | IHVB130 | - 50 C | + 150 C | Tray | |||||||
FZ1500R33HL3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA | Да | IGBT Silicon Modules | Triple | 3300 V | 1500 A | IHVB190 | - 50 C | + 150 C | Tray | |||||||
APT100GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT100GLQ65JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT100GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT100GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »