Поиск элементов в базе

По вашему запросу "APT100GN120J" найдены следующие совпадения:


В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру

ПартномерПроизводительИзобр.DatasheetСклад
APT100GN120J
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi
1870 20-30 дней
APT100GN120J
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi Power Products Group
2006 20-30 дней
APT100GN120JDQ4
   Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribut
Microsemi
от 3 недель
APT100GN120J
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
Microsemi Corporation
2834 20-30 дней
APT100GN120JDQ4
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
Microsemi Corporation
2094 20-30 дней
APT100GN120JDQ4
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
Microsemi Power Products Group
1864 20-30 дней