По вашему запросу "APT100GN120J" найдены следующие совпадения:
В базе элементов: *для запроса элемента кликните по партномеру
Партномер
Производитель
Изобр.
Datasheet
Склад
APT100GN120J Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi
1870 20-30 дней
APT100GN120J Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi Power Products Group
2006 20-30 дней
APT100GN120JDQ4 Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribut