Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
05405900LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05406000LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05406100LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05406800LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05406900LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05407000LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05407400LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05407500LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05407600LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05407900LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05410100LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
05410200LittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
MG06100S-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V125 A400 nA330 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk
MG06100S-BR1MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V125 A400 nA330 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk
MG06150S-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V225 A400 nA500 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk
MG06200S-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V300 A400 nA600 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk
MG06300D-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V400 A400 nA940 WPackage D- 40 C+ 150 CBulk
MG06400D-BN1MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A Dual 150TVjНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V400 A1.2 uA1400 WPackage D- 40 C+ 150 CBulk
MG06400D-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A Dual 150TVjНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V400 A1.2 uA1400 WPackage D- 40 C+ 150 CBulk
MG06600WB-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 600A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V700 A400 nA1.5 kWPackage WB- 40 C+ 150 CBulk
MG0675S-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DualНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.45 V100 A400 nA250 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk
MG12100D-BA1MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DualНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.8 V160 A400 nA1000 WPackage D- 40 C+ 150 CBulk
MG12100S-BN2MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DualНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V140 A400 nA450 WPackage S- 40 C+ 125 CBulk
MG12100W-XN2MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A IGBTНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter1200 V1.9 V140 A400 nA450 WPackage W- 40 C+ 125 CBulk
MG12105S-BA1MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DualНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.8 V150 A200 nA690 WPackage S- 40 C+ 150 CBulk

Страницы