Всего результатов: 1775
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIXG360RF1200P-PC | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MIXG360RF1200PTED-PC | Нет | Diode Power Modules | Boost/Brake Chopper | 2.2 V | Screw Mount | E2-Pack | - 40 C | + 150 C | Blister Card | |||||
MII150-12A4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 150 Amps 1200V | Нет | Power Semiconductor Modules | IGBT Module | 2.3 V | Screw Mount | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | MII150 | Bulk | ||||
MUBW15-12A6K | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 15 Amps 1200V | Нет | Power Semiconductor Modules | Converter/Brake/Inverter | 2.3 V | 1600 V | Screw Mount | E1 | - 40 C | + 125 C | MUBW15 | Bulk | |||
MWI15-12A7 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 15 Amps 1200V | Нет | Power Semiconductor Modules | Six-Pack | 2.4 V | 1.2 kV | Screw Mount | E2 | - 40 C | + 125 C | MWI15 | Bulk | |||
MCNA120UI2200PED | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули BIPOLAR MODULE - THYRISTOR E2 | Нет | Thyristor Power Modules | High Voltage | 2.45 V | Screw Mount | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Blister Card | |||||
FII40-06D | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 600V 40A | Нет | IGBT Module | 2.5 V | SMD/SMT | ISOPLUS i4-PAC | FII40-06D | Tube | |||||||
MII75-12A3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули 75 Amps 1200V | Нет | Power Semiconductor Modules | IGBT Module | 2.5 V | 1.2 kV | Screw Mount | Y4 | - 40 C | + 125 C | MII75 | Bulk | |||
CAS325M12HM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули Half-Bridge Module 1.2kV, 325A Hi-Perf | Нет | Power MOSFET Modules | H-Bridge MOSFET Module | 2.5 V | - 5 V, 23 V | Screw Mount | Module | - 55 C | + 175 C | Bulk | ||||
VBE60-12A | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWRDISC-RECTIFIER (MINIBLC) | Нет | Diode Power Modules | HiPerFRED | 2.68 V | 1.2 kV | Screw Mount | SOT-227B-4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
MMIX4B22N300 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT SMPD PKG-BIMOSFET | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 2.7 V | 20 V | SMD/SMT | - 55 C | + 150 C | ||||||
MF300U12F2-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Дискретные полупроводниковые модули 100A,1200V,FRED Modules, F2 Package | Нет | Power Semiconductor Modules | FRED Module | 2.7 V | 1.2 kV | SMD/SMT | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductors | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr | Нет | Diode Power Modules | IGBT Module | 2.8 V | SMD/SMT | SOT-227-4 | + 150 C | |||||||
MF300C12F2-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Дискретные полупроводниковые модули 300A,1200V,FRED Modules, F2 Package | Нет | Power Semiconductor Modules | FRED Module | 2.8 V | 1.2 kV | SMD/SMT | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GT80DA120U | Vishay Semiconductors | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr | Нет | Diode Power Modules | IGBT Module | 2.9 V | SMD/SMT | SOT-227-4 | + 150 C | |||||||
VS-GT180DA120U | Vishay Semiconductors | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr | Нет | Diode Power Modules | IGBT Module | 3 V | SMD/SMT | SOT-227-4 | + 150 C | |||||||
VS-VSKDU162/12PBF | Vishay Semiconductors | Дискретные полупроводниковые модули 1200 Volt 100 Amp | Нет | 3.9 V | Screw Mount | INT-A-PAK | VS-VSK.162..PbF | Bulk | ||||||||
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4 V | - 10 V, 20 V | Press Fit | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4 V | - 10 V, 20 V | Press Fit | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 6 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF8MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology. | Нет | Power MOSFET Modules | EasyDUAL Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | EasyPACK Module | 4.6 V | - 10 V, 20 V | Screw Mount | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
F423MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 50 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY1BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 50 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY1BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Power MOSFET Modules | CoolSiC MOSFET | 4.6 V at 75 A | - 10 V, 20 V | Screw Mount | AG-EASY2BM-2 | - 40 C | + 150 C | Tray |