Поиск элементов в базе
По вашему запросу "APT100GT60JR" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| APT100GT60JR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single | Microsemi Power Products Group |  |  | 2500 20-30 дней |
| APT100GT60JRDQ4 The Thunderbolt IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch-Through Technology, the Thunderbolt IGBT® offers superior ruggedness and ultrafast switching speed. | Microsemi |  | | от 3 недель |
| APT100GT60JR The Thunderbolt IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch Through Technology, the Thunderbolt IGBT® offers superior ruggedness and ultrafast switching speed. | Microsemi |  | | 1054 20-30 дней |
| APT100GT60JRDL Resonant Mode Combi IGBT | Microsemi Corporation |  | | 3929 20-30 дней |
| APT100GT60JR IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Microsemi Corporation | | | 4031 20-30 дней |
| APT100GT60JRDQ4 IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Microsemi Corporation |  | | 2377 20-30 дней |
| APT100GT60JRDQ4 IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Microsemi Power Products Group | | | от 2-3 недели |
