Всего результатов: 420
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Упаковка / блок | Вид монтажа | Пиковая длина волны | Темновой ток | Vr - обратное напряжение | Время нарастания | Время спада | Угол половинной интенсивности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LV0227CV-XH | ON Semiconductor | Фотодиоды LASER MONITOR FOR BD OPU | Нет | ||||||||||||||
LV0229XA-NH | ON Semiconductor | Фотодиоды LASER MONITOR FOR BD OPU | Нет | LV0229XA | |||||||||||||
NR8300FP-CC-AZ | Renesas Electronics | Фотодиоды InGaAs APD COAXIAL PACKAGE | Нет | Avalanche Photodiodes | Coaxial | Through Hole | 1550 nm | 5 nA | 70 V | - 40 C | + 85 C | ||||||
5000045 | First Sensor | Фотодиоды AD500-8-1.3G TO52 (for new designs use Ubr 80-120V SAP#5000074) | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-3 | Through Hole | 905 nm | 0.5 nA | 0.35 ns | 0 C | + 60 C | ||||||
5000073 | First Sensor | Фотодиоды AD500-9-400M (TO5;160-200V) | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 905 nm | 0.8 nA | 0.55 ns | 0 C | + 60 C | ||||||
3001157 | First Sensor | Фотодиоды 500um active area APD chip w/ IR | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-5i | Through Hole | 905 nm | 1.5 nA | 220 V | 4 ns | - 10 C | + 70 C | |||||
AD1100-8-TO52-S1 | First Sensor | Фотодиоды High Speed Si APD 130um Active Area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 800 nm | 4 nA | 90 V | 1 ns | 92 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 8 | |||
AD1100-9-TO52-S1 | First Sensor | Фотодиоды Si APD Enhanced for 905nm 1130um Area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52 | Through Hole | 905 nm | 4 nA | 180 V | 1.3 ns | 92 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 9 | |||
AD1500-TO5I | First Sensor | Фотодиоды APD with 1.77mm squared active area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-5i | Through Hole | 905 nm | 2 nA | 160 V | 2 ns | - 40 C | + 100 C | APD Series 9 | ||||
AD230-12-TO52S1.1 | First Sensor | Фотодиоды APD with 0.04mm squared active area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 660 nm | 0.2 nA | 60 V | 0.18 ns | - 40 C | + 100 C | APD Series 12 | ||||
5001322 | First Sensor | Фотодиоды Si APD Enhanced for 905nm 230um Area | Да | Avalanche Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 905 nm | 0.5 nA | 160 V | 500 ps | 116 deg | 0 C | + 60 C | APD Series 9 | |||
AD230-9-TO52-S1 | First Sensor | Фотодиоды AD230-9-TO52-S1 200-240V | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 905 nm | 0.5 nA | 160 V | 0.55 ns | 113 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 9 | |||
5000002 | First Sensor | Фотодиоды High Speed Si APD w/1.3Ghz Amplifier | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 800 nm | 0.5 nA | 200 V | 350 ps | 113 deg | 0 C | + 60 C | APD Series 8 | |||
AD500-12-TO52S1.1 | First Sensor | Фотодиоды APD with 0.2mm squared active area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 660 nm | 0.3 nA | 60 V | 0.35 ns | - 40 C | + 100 C | APD Series 12 | ||||
AD500-8-S1 | First Sensor | Фотодиоды AD500-8-S1 120-160V | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 800 nm | 0.5 nA | 80 V | 350 ps | 108 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 8 | |||
AD500-9-400M-TO5 | First Sensor | Фотодиоды Si APD Enhanced for 905nm 500um Area | Да | Avalanche Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 905 nm | 0.5 nA | 240 V | 550 ps | 113 deg | 0 C | + 60 C | APD Series 9 | |||
AD500-9-TO52-S1 | First Sensor | Фотодиоды AD500-9-TO52-S1 200-240V | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 905 nm | 0.5 nA | 160 V | 550 ps | 108 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 9 | |||
AD800-8-S1 | First Sensor | Фотодиоды High Speed Si APD 800um Active Area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 410 nm | 1 nA | 100 V | 0.28 ns | 64 deg | - 40 C | + 85 C | APD Series 8 | |||
AD800-9-TO52-S1 | First Sensor | Фотодиоды Si APD Enhanced for 905nm 800um Area | Нет | Avalanche Photodiodes | TO-52-S1 | Through Hole | 905 nm | 2 nA | 180 V | 0.9 ns | 101 deg | - 40 C | + 100 C | APD Series 9 | |||
SFH 221 | OSRAM Opto Semiconductors | Фотодиоды PHOTODIODE | Нет | Differential Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 900 nm | 10 nA | 10 V | 500 ns | 500 ns | 55 deg | - 40 C | + 125 C | |||
3001222 | First Sensor | Фотодиоды Wavelength Selective Sensor 2.75mm2 Area | Нет | Dual PIN Photodiodes | TO-5 | Through Hole | 850 nm | 10 nA | 5 V | 10 us | - 40 C | + 100 C | |||||
KOM 2125-Z | OSRAM Opto Semiconductors | Фотодиоды PHOTODIODE | Нет | Dual PIN Photodiodes | DIL-SMT-3 | SMD/SMT | 850 nm | 5 nA, 10 nA | 60 V | 18 ns, 25 ns | 18 ns, 25 ns | 60 deg | - 40 C | + 80 C | |||
AFBR-S4N44C013 | Broadcom | Фотодиоды SiPM CSP 4x4mm 30um NUVHD | Нет | Photodiode Arrays | 3.88 mm x 3.88 mm | SMD/SMT | 420 nm | 0.4 uA | - 20 C | + 50 C | |||||||
AFBR-S4N44P163 | Broadcom | Фотодиоды SiPM PCB 4x4 4mm 30um NUVHD | Нет | Photodiode Arrays | SMD/SMT | 420 nm | 0.4 uA | - 20 C | + 50 C | ||||||||
3001411 | First Sensor | Фотодиоды 16AA0.4-9 SMD (SOJ22GL) | Нет | Photodiode Arrays | SOJ-22 | SMD/SMT | 910 nm | 2 nA | 2 ns | - 20 C | + 70 C |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »