Вы здесь

МОП-транзистор

Всего результатов: 18982
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Вид монтажа Упаковка / блок Количество каналов Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Id - непрерывный ток утечки Rds Вкл - сопротивление сток-исток Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Vgs - напряжение затвор-исток Qg - заряд затвора Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Конфигурация Канальный режим Квалификация Коммерческое обозначение Упаковка сортировать по убыванию
TP65H035WSTransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 46.5A TO247ДаGaN SiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V46.5 A41 mOhms3.3 V20 V36 nC- 55 C+ 150 C156 WSingleEnhancement
TP65H035WSQATransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 47.2A TO247ДаGaN SiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V47.2 A41 mOhms3.4 V20 V24 nC- 55 C+ 175 C187 WSingleEnhancement
TP65H050WSTransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 34A TO247ДаGaN SiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V36 A60 mOhms3.3 V20 V24 nC- 55 C+ 150 C119 WSingleEnhancement
TP65H070LDGTransphormМОП-транзисторНет
TP65H070LSGTransphormМОП-транзисторНет
TP90H180PSTransphormМОП-транзистор GAN FET 900V 15A TO220ДаGaN SiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel900 V15 A205 mOhms1.6 V18 V10 nC- 55 C+ 150 C78 WSingleEnhancement
TPH3205WSBQATransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 35A TO247ДаGaN SiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V35 A62 mOhms1.6 V18 V42 nC- 55 C+ 150 C125 WSingleEnhancement
TPH3206PSBTransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 16A TO220ДаGaN SiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel650 V16 A180 mOhms1.65 V18 V6.2 nC- 55 C+ 150 C81 WSingleEnhancement
TPH3208PSTransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 20A TO220ДаGaN SiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel650 V20 A130 mOhms1.6 V18 V15 nC- 55 C+ 150 C96 WSingleEnhancement
TPH3212PSTransphormМОП-транзистор GAN FET 650V 27A TO220ДаGaN SiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel650 V27 A85 mOhms1.6 V18 V14.6 nC- 55 C+ 150 C104 WSingleEnhancement
UJ3C065030B3UnitedSiCМОП-транзистор 650V/30mOhm SiC CASCODE G3НетSiCSMD/SMTD2PAK-31 ChannelN-Channel650 V66 A35 mOhms4 V25 V51 nC- 55 C+ 175 C250 WSingleEnhancement
UJ3C065080B3UnitedSiCМОП-транзистор 650V/80mOhm SiC CASCODE G3НетSiCSMD/SMTD2PAK-31 ChannelN-Channel650 V25 A100 mOhms4 V25 V51 nC- 55 C+ 175 C115 WSingleEnhancement
2N6768T1Microchip / MicrosemiМОП-транзистор N Channel МОП-транзисторДаSi
2N6770T1Microchip / MicrosemiМОП-транзистор N Channel МОП-транзисторДаSi
2N7334Microchip / MicrosemiМОП-транзистор N Channel МОП-транзисторДаSi
APT11F80SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power FREDFET - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT12067B2LLGMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power МОП-транзисторНетSiThrough HoleT-MAX-3
APT15F60SMicrochip / MicrosemiМОП-транзисторНетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT18F60SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power FREDFET - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT18M80SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT20F50SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power FREDFET - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT23F60SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power FREDFET - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT28F60SMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power FREDFET - MOS8НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT30M70SVRGMicrochip / MicrosemiМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5НетSiSMD/SMTD3PAK-3
APT38N60SC6Microchip / MicrosemiМОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOSНетSiSMD/SMTD3PAK-3

Страницы