Всего результатов: 1824
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGH48N60C3C1 | IXYS | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V | Нет | SiC | TO-247AD-3 | IXGH48N60 | Tube | ||||||||||||
IXGP30N60C3C1 | IXYS | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | Нет | SiC | IXGP30N60 | Tube | |||||||||||||
AFGHL50T65SQDC | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD | Нет | SiC | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Tube | |||
APT33GF120B2RDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GR120B2SCD10 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GT120B2RDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT100GN120B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT100GN60B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT100GN60LDQ4G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 30 V | 229 A | 625 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT11GP60KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Si | |||||||||||||||
APT13GP120BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT13GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 13A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GN120BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GN120SDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-268, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT15GP90BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP90KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT15GT120BRDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 15A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.2 V | 30 V | 36 A | 250 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT15GT120BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GT60BRDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT200GN60B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »