Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок сортировать по убываниюВид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
APT33GF120B2RDQ2GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSНетSiTube
APT40GR120B2SCD10Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8НетSiTube
APT100GN60B2GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHSНетSiTube
APT11GP60KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSi
APT13GP120BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT13GP120BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 13A, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GN120BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GN120SDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-268, RoHSНетSiTube
APT15GP60BDLGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - CombiНетSiTube
APT15GP60BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GP60BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GP60KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleНетSi
APT15GP90BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GP90KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleНетSi
APT15GT120BRGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GT60BRDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT15GT60BRGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHSНетSiTube
APT20GN60BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 20A, TO-247, RoHSНетSiTube
APT20GT60BRDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT25GN120B2DQ2GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHSНетSiTube
APT25GN120BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT25GP120BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHSНетSiTube
APT25GP90BDQ1GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT25GR120BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247НетSiTube
APT25GR120SMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268НетSiTube

Страницы