Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка сортировать по убыванию
APT11GP60KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSi
APT15GP60KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleНетSi
APT15GP90KGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleНетSi
APT30GS60KRGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - SingleНетSi
APT30N60SC6Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - SingleНетSi
APT40GP60SGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleНетSi
APT45GR65SMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSi
STGB19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiSTGB19N40LZAEC-Q100
STGB20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGB20H60DF
STGB20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGB20M65DF2
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT450 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB20N45LZAGAEC-Q101
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT400 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB25N40LZAGAEC-Q101
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.7 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DLLFBAGAEC-Q101
STGB30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK packageДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H65FB
STGB4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V8 A68 W- 55 C+ 175 CSTGB4M65DF2
STGB6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGB6M65DF2
STGB7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGB7H60DF
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMT450 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGD20N45LZAGAEC-Q101
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMT400 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGD25N40LZAGAEC-Q101
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBTНетSiSTGD3NC120H
STGF10H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpdНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.5 V20 V20 A30 W- 55 C+ 175 CSTGF10H60DF
STGF10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.8 V20 V20 A30 W- 55 C+ 175 CSTGF10M65DF2
STGF15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V30 A31 W- 55 C+ 175 CSTGF15M65DF2
STGF20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A32.6 W- 55 C+ 175 CSTGF20M65DF2
STGF30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A38 W- 55 C+ 175 CSTGF30M65DF2

Страницы