Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3L | Through Hole | Single | 1200 V | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMD | Tube | |||
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-247G03-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMD | Tube | |||
FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2 TIGBT excellent swtching performance | Нет | Si | TO-247-4 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMDL4 | Tube | |||
FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.45 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SHDF | Tube | |||
FGH40T65SH-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SH | Tube | |||
FGH40T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 267 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SP_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH40T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 80 A 268 W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 650 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65UPD | Tube | ||||
FGH40T65UQDF-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.33 V | 20 V | 80 A | 231 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 700 V | 2.37 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T70SHD | Tube | |||
FGH50T65SQD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH50T65SQD | Tube | |||
FGH50T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 100 A 240 W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 650 V | 2.1 V | 25 V | 100 A | 240 W | - 55 C | + 175 C | FGH50T65UPD | Tube | ||||
FGH60N60SMD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.14 V | 20 V | 120 A | 600 W | - 55 C | + 175 C | FGH60N60SM_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH75T65SHDT-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 455 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SHDT | Tube | |||
FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan | Нет | Si | TO-247-4 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 455 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SHDTL4 | Tube | |||
FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SQDTL4 | Tube | |||
FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SQD | Tube | |||
FGH75T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | Single | 650 V | 2.3 V | 20 V | 150 A | 187 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65UPD | Tube | |||
FGH75T65UPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FS TRENCH IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 2.21 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65UPD | AEC-Q101 | Tube | ||
FGI3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 - 400V IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-262AA-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGI3040G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGI3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition | Нет | Si | TO-262 | Through Hole | - 40 C | + 175 C | FGI3236_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||||||||
FGP3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-220AB-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGP3040G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-220AB-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.6 V | 10 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | FGP3440G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY120T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.5 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY120T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY160T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY160T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY40T120SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2TIGBT TO247 40A 1200V | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 2 V | 30 V | 80 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY40T120SMD | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »