Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGA20S125P-SN00336 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A Shorted Anode IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1250 V | 2 V | 25 V | 40 A | 250 W | - 55 C | + 175 C | FGA20S125P | Tube | |||
FGA20S140P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) USB Port Multimedia Switch | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1400 V | 2.2 V | 25 V | 40 A | 272 W | - 55 C | + 175 C | FGA20S140P | Tube | |||
FGA25N120ANTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete | Нет | Si | TO-3P-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2 V | 20 V | 50 A | 312 W | - 55 C | + 150 C | FGA25N120ANTD | Tube | |||
FGA25N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGA25N120ANTDTU | Tube | ||||||
FGA25S125P-SN00337 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1250 V | 1.8 V | 6 V | 50 A | 250 W | - 55 C | + 175 C | FGA25S125P | Tube | |||
FGA3060ADF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V proliferation PFC home application | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 30 V | 60 A | 176 W | - 55 C | + 175 C | FGA3060ADF | Tube | |||
FGA30N120FTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 30A FS | Нет | Si | TO-3P-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2 V | 25 V | 30 A | 339 W | - 55 C | + 150 C | FGA30N120FTD | Tube | |||
FGA30N60LSDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V N-Ch Planar | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGA30N60LSD | Tube | ||||||
FGA30N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2PIGBT TO3PN 30A 650V | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 650 V | 2.29 V | 20 V | 60 A | 300 W | - 55 C | + 175 C | FGA30N65SMD | Tube | |||
FGA30S120P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1300 V | 2.3 V | 25 V | 60 A | 174 W | - 55 C | + 175 C | FGA30S120P | Tube | |||
FGA30T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 30A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 60 A | 238 W | - 55 C | + 175 C | FGA30T65SHD | Tube | ||||
FGA4060ADF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 30 V | 80 A | 238 W | - 55 C | + 175 C | FGA4060ADF | Tube | |||
FGA40N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.5 V | 20 V | 80 A | 349 W | FGA40N65SMD | Tube | ||||||
FGA40S65SH | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.4 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA40S65SH | Tube | |||
FGA40T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA40T65SHD | Tube | ||||
FGA40T65SHDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 1.81 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA40T65SHDF | Tube | ||||
FGA40T65UQDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.33 V | 20 V | 80 A | 231 W | - 55 C | + 175 C | FGA40T65UQDF | Tube | |||
FGA5065ADF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 50A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 650 V | 2.28 V | 30 V | 100 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA5065ADF | Tube | |||
FGA50N100BNTD2 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-ch / 50A 1000V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1000 V | 1.5 V | 25 V | 50 A | 156 W | - 55 C | + 150 C | FGA50N100BNTD2 | Tube | |||
FGA50N100BNTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 4 0A UFD | Нет | Si | TO-3P-3 | Through Hole | Single | 1000 V | 2.5 V | 25 V | 156 W | - 55 C | + 150 C | FGA50N100BNTD | Tube | ||||
FGA50S110P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 1100 V | 2.7 V | 25 V | 50 A | 300 W | - 55 C | + 175 C | FGA50S110P | Tube | ||||
FGA50T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 50A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 100 A | 319 W | - 55 C | + 175 C | FGA50T65SHD | Tube | ||||
FGA6065ADF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 20 V | 120 A | 306 W | - 55 C | + 175 C | FGA6065ADF | Tube | |||
FGA60N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A FIELD STOP | Нет | Si | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | 120 A | - 55 C | + 150 C | FGA60N60UFD | Tube | ||||||
FGA60N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 600 W | FGA60N65SMD | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »