Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. сортировать по убываниюНапряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IXBH24N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60AНетSiTO-247-3Through HoleSingle- 55 C+ 150 CIXBH24N170Tube
IXBK75N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200AНетSiTO-264-3Through Hole- 55 C+ 150 CIXBK75N170Tube
IXBK75N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700VНетSiTO-264-3Through HoleIXBK75N170
IXBL60N360IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBTНетSiISOPLUS-I5-Pak-3Through HoleTube
IXBL64N250IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAKНетSiISOPLUS i5-PAK-3Through HoleVery High Voltage
IXBR42N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 57Amps 1700VНетSiISOPLUS 247-3Through HoleIXBR42N170Tube
IXBT24N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTsНетSiTO-268-2Through HoleIXBT24N170Tube
IXBX50N360HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/125A Reverse Conducting IGBTНетSiTO-247-PLUS-HV-3Through HoleVery High VoltageTube
IXBX75N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200AНетSiPLUS 247-3Through Hole- 55 C+ 150 CIXBX75N170Tube
IXBX75N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700VНетSiPLUS 247-3Through HoleIXBX75N170Tube
IXDA20N120AS-TUBEIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200VНетSiIXDA20N120ASTube
IXG100IF1200HFIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX4НетTube
IXG50I4500KNIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGEНетTube
IXG65I3300KNIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGEНетTube
IXGA12N120A3-TRLIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA12N120A3 TRLНетReel
IXGA20N120A3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20AНетSiIXGA20N120Tube
IXGA20N120A3-TRLIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA20N120A3 TRLНетReel
IXGA20N120B3-TRLIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA20N120B3 TRLНетReel
IXGA28N60A3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCYНетTube
IXGA30N120B3-TRLIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA30N120B3 TRLНетReel
IXGA30N60C3C1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30AНетIXGA30N60Tube
IXGA30N60C3D4IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30AНетSiIXGA30N60Tube
IXGA48N60A3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600VНетSiIXGA48N60Tube
IXGA48N60A3-TRLIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA48N60A3 TRLНетReel
IXGA48N60B3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600VНетSiIXGA48N60Tube

Страницы