Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок сортировать по убываниюВид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
FGA20N120FTDTUON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V N-Chan TrenchНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle1200 V25 V- 55 C+ 150 CFGA20N120FTDTube
FGA25N120ANTDTU-F109ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Copak DiscreteНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CFGA25N120ANTDTUTube
FGA30N60LSDTUON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V N-Ch PlanarНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CFGA30N60LSDTube
FGA30N65SMDON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2PIGBT TO3PN 30A 650VНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle650 V2.29 V20 V60 A300 W- 55 C+ 175 CFGA30N65SMDTube
FGA40S65SHON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBTНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle650 V1.4 V20 V80 A268 W- 55 C+ 175 CFGA40S65SHTube
FGA40T65UQDFON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Trench IGBTНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle650 V1.33 V20 V80 A231 W- 55 C+ 175 CFGA40T65UQDFTube
FGA6530WDFON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 650V SHD prolferationНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle650 V1.8 V20 V60 A176 W- 55 C+ 175 CFGA6530WDFTube
FGA90N33ATDTUON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 330V 90A PDP TrenchНетSiTO-3PN-3Through HoleSingle330 V30 V- 55 C+ 150 CFGA90N33ATDTube
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.55 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15S120DF3Tube
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.6 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA25S120DF3Tube
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.65 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40S120DF3Tube
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/НетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.7 V20 V100 A349 W- 55 C+ 175 CTube
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/НетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.7 V20 V160 A454 W- 55 C+ 175 CTube
NGTB40N120L3WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 LOW VCНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.55 V20 V160 A454 W- 55 C+ 175 CTube
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V2 V20 V80 A500 W- 40 C+ 175 CTube
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V1.75 V20 V80 A500 W- 40 C+ 175 CTube
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V1.75 V20 V100 A652 W- 40 C+ 175 CTube
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V80 A500 W- 40 C+ 175 CTube
IKY50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V100 A652 W- 40 C+ 175 CTube
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V150 A938 W- 40 C+ 175 CTube
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNELНетSiUDFN-6SMD/SMTSingle1.7 W- 55 C+ 150 CNTLUS3A40PCut Tape, MouseReel, Reel
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH UDFN SINGНетSiUDFN-6SMD/SMTSingle1.7 W- 55 C+ 150 CNTLUS3A40PCut Tape, MouseReel, Reel
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MOНетSiUDFN-6SMD/SMTSingle1.5 W- 55 C+ 150 CNTLUS3A90PCut Tape, MouseReel, Reel
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MOНетSiUDFN-6SMD/SMTSingle1.5 W- 55 C+ 150 CNTLUS3A90PCut Tape, MouseReel, Reel

Страницы