Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-220AB-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.6 V | 10 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | FGP3440G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY120T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.5 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY120T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY160T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY160T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
ISL9V5045S3ST-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 480 V | 1.25 V | 10 V | 51 A | 300 mW | - 40 C | + 175 C | ISL9V5045S_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
AUIRGPS4070D0 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | Нет | Si | Super-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.7 V | 20 V | 240 A | 750 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Tube | |||
RGPR10BM40FHTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | - 40 C | + 175 C | RGP | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
RGPR20NS43HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | Нет | Si | TO-263-3 | SMD/SMT | Single | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | - 40 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
RGPR30BM40HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 430 V | 1.6 V | 10 V | 30 A | 125 W | - 40 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
RGPR30NS40HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | Нет | Si | TO-263-3 | SMD/SMT | Single | 430 V | 1.6 V | 10 V | 30 A | 125 W | - 40 C | + 175 C | RGP | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
RGPZ10BM40FHTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 460 V | 1.6 V | 10 V | 20 A | 107 W | - 40 C | + 175 C | RGP | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
RGS00TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V | Нет | Si | TO-247N-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.65 V | 30 V | 88 A | 326 W | - 40 C | + 175 C | AEC-Q101 | Tube | |||
AFGB30T65SQDN | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 A | Нет | Si | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||||
AFGB40T65SQDN | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT | Нет | Si | TO-263-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 238 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
AFGHL40T65SPD | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 267 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Tube | |||
AFGHL50T65SQDC | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD | Нет | SiC | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Tube | |||
FGB3040G2-F085C | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 400 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
FGD3040G2-F085C | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 | Нет | Si | AEC-Q101 | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
FGD3040G2-F085V | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 300MJ, 400V, N- | Нет | Si | TO-252AA-3 | SMD/SMT | Single | 400 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, Reel | |||
FGD3245G2-F085C | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 | Нет | Si | AEC-Q101 | Reel | |||||||||||||
FGD3325G2-F085V | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 250 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Reel | |||
ISL9V3040D3ST-F085C | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252 | Нет | Si | AEC-Q101 | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
ISL9V3040S3ST-F085C | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBT | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 400 V | 1.25 V | 10 V | 21 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
AUIRG4BC30S-S | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.6 V | 20 V | 34 A | 100 W | - 55 C | AEC-Q101 | Tube | ||||
AUIRG4BC30SSTRL | Infineon / IR | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | 600 V | 1.6 V | 34 A | 100 W | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
AUIRG4BC30U-S | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.95 V | 20 V | 23 A | 100 W | - 55 C | AEC-Q101 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- следующая ›
- последняя »