Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация сортировать по убываниюУпаковка
FGP3440G2-F085ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle400 V1.6 V10 V26.9 A166 W- 40 C+ 175 CFGP3440G2_F085AEC-Q101Tube
FGY120T65SPD-F085ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.5 V20 V240 A882 W- 55 C+ 175 CFGY120T65S_F085AEC-Q101Tube
FGY160T65SPD-F085ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Gen3 Trench IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V240 A882 W- 55 C+ 175 CFGY160T65S_F085AEC-Q101Tube
ISL9V5045S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle480 V1.25 V10 V51 A300 mW- 40 C+ 175 CISL9V5045S_F085AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
AUIRGPS4070D0Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETESНетSiSuper-247-3Through HoleSingle600 V1.7 V20 V240 A750 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Tube
RGPR10BM40FHTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR20NS43HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR30BM40HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle430 V1.6 V10 V30 A125 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR30NS40HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle430 V1.6 V10 V30 A125 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPZ10BM40FHTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGS00TS65DHRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650VНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V88 A326 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Tube
AFGB30T65SQDNON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 AНетSiAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
AFGB40T65SQDNON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V80 A238 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
AFGHL40T65SPDON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.85 V20 V80 A267 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Tube
AFGHL50T65SQDCON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBDНетSiCTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V100 A268 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Tube
FGB3040G2-F085CON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle400 V1.15 V10 V41 A150 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
FGD3040G2-F085CON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252НетSiAEC-Q101Cut Tape, Reel
FGD3040G2-F085VON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 300MJ, 400V, N-НетSiTO-252AA-3SMD/SMTSingle400 V1.15 V10 V41 A150 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, Reel
FGD3245G2-F085CON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252НетSiAEC-Q101Reel
FGD3325G2-F085VON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 330MJ, 250V, NНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle250 V1.15 V10 V41 A150 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Reel
ISL9V3040D3ST-F085CON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252НетSiAEC-Q101Cut Tape, Reel
ISL9V3040S3ST-F085CON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle400 V1.25 V10 V21 A150 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
AUIRG4BC30S-SInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.6 V20 V34 A100 W- 55 CAEC-Q101Tube
AUIRG4BC30SSTRLInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMT600 V1.6 V34 A100 WAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
AUIRG4BC30U-SInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.95 V20 V23 A100 W- 55 CAEC-Q101Tube

Страницы