Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок сортировать по убываниюВид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
SGF80N60UFTUON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete Hi-P IGBTНетSiTO-3PF-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSGF80N60UFTube
FGAF40S65AQON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 SA IGBTНетSiTO-3PF-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A94 W- 55 C+ 175 CTube
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PFНетSiTO-3PF-3LThrough HoleSingle600 V1.45 V20 V40 A64 W- 55 C+ 175 CNGTB20N60L2TF1GTube
NGTG12N60TF1GON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PFНетSiTO-3PF-3LThrough Hole600 V1.6 V20 V24 A54 WNGTG12N60TF1GTube
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PFНетSiTO-3PF-3LThrough HoleSingle600 V1.65 V20 V40 A64 WNGTG20N60L2TF1GTube
RGCL60TK60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V30 A54 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL60TK60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V30 A54 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL80TK60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V35 A57 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL80TK60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V35 A57 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH00TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V35 A72 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH00TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V35 A72 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH40TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V23 A56 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH40TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V23 A56 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH50TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V26 A59 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH50TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V26 A59 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH60TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V28 A61 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH60TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V28 A61 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH80TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V31 A66 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH80TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V31 A66 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A94 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A94 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV60TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A76 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV60TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A76 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A89 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A89 W- 40 C+ 175 CTube

Страницы