Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
T835-600H | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Snubberless Logic Lv Standard 8A Triac | Нет | Si | T835 | Tube | |||||||||||||
FGB3040CS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign | Нет | Si | TO-263-6 | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | FGB3040CS | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
FGB3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT | Нет | Si | FGB3236_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||||||
FGBS3040E1-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMART IGBT | Нет | Si | FGBS3040_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||||||
FGH12040WD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT | Нет | Si | FGH12040WD_F155 | Tube | |||||||||||||
FGH25N120FTDS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | FGH25N120FTDS | Tube | |||||||||||||
FGH40N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 2.1 V | 80 A | 349 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SMD | Tube | ||||||
FGH40N60SMDF-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A FIELD STOP IGBT | Нет | Si | FGH40N60DF_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||||||||||||
FGH40T100SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS1TIGBT TO247 40A 1000V | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 40A 650V | Нет | Si | FGH40T65SHD | Tube | |||||||||||||
FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 60A 650V | Нет | Si | FGH60T65SHD | Tube | |||||||||||||
FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 75A 650V | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | FGH75T65SHD | Tube | |||||||||||
FGH75T65UPD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V,75A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | FGH75T65UPD | Tube | |||||||||||||
FGI3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition | Нет | Si | TO-262 | Through Hole | - 40 C | + 175 C | FGI3236_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||||||||
FGL12040WD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | 1200 V | FGL12040WD | Tube | ||||||||||||
FGL35N120FTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A Trench IGBT | Нет | Si | FGL35N120FTD | Tube | |||||||||||||
FGPF10N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT | Нет | Si | TO-220F | Through Hole | 600 V | 2 V | 20 A | 17 W | FGPF10N60UNDF | Tube | |||||||
FGPF15N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT | Нет | Si | TO-220F | Through Hole | 600 V | 2.2 V | 30 A | 17 W | FGPF15N60UNDF | Tube | |||||||
FSAM50SM60A | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V -50A SMART POWER MODULE | Нет | Si | SPM32-AA | SMD/SMT | 2.4 V | 100 W | - 20 C | + 125 C | FSAM50SM60A | Tube | |||||||
DGTD65T15H2TF | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X | Да | Si | ITO-220AB-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.65 V | 30 A | 48 W | - 40 C | + 175 C | ||||||
AIGB15N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Reel | |||||||||||||||
AIGB15N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Reel | |||||||||||||||
AIGB30N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Reel | |||||||||||||||
AIGB30N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Reel | |||||||||||||||
AIGB40N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »