Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGW60H65DRF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT | Нет | Si | TO-247 | SMD/SMT | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 360 W | STGW60H65DRF | Tube | ||||||
STGW80H65DFB-4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed | Да | Si | STGW80H65DFB-4 | ||||||||||||||
STGW80H65FB-4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed | Да | Si | STGW80H65FB-4 | ||||||||||||||
STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | Нет | Si | STGWA30M65DF2 | Tube | |||||||||||||
STGWA30N120KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT | Нет | Si | STGWA30N120KD | Tube | |||||||||||||
STGWA40HP65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO-247 LONG LEADS | Да | STGWA40HP65FB2 | Tube | ||||||||||||||
STGWA40N120KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A 1200V short circuit rugged IGBT | Нет | Si | STGWA40N120KD | Tube | |||||||||||||
STGWA60V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT | Да | Si | STGWA60V60DF | ||||||||||||||
T835-600H | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Snubberless Logic Lv Standard 8A Triac | Нет | Si | T835 | Tube | |||||||||||||
FGA30T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 30A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 60 A | 238 W | - 55 C | + 175 C | FGA30T65SHD | Tube | ||||
FGA40N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.5 V | 20 V | 80 A | 349 W | FGA40N65SMD | Tube | ||||||
FGA40T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA40T65SHD | Tube | ||||
FGA40T65SHDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 1.81 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGA40T65SHDF | Tube | ||||
FGA50S110P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 1100 V | 2.7 V | 25 V | 50 A | 300 W | - 55 C | + 175 C | FGA50S110P | Tube | ||||
FGA50T65SHD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 50A 650V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 2.14 V | 30 V | 100 A | 319 W | - 55 C | + 175 C | FGA50T65SHD | Tube | ||||
FGA60N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 600 W | FGA60N65SMD | Tube | ||||||
FGAF20N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W | Нет | Si | TO-3PF | Through Hole | 600 V | 1.9 V | 20 V | 40 A | 62.5 W | - 55 C | + 175 C | FGAF20N60SMD | Tube | ||||
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 80 A 79 W | Нет | Si | TO-3PF | Through Hole | 600 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 79 W | - 55 C | + 175 C | FGAF40N60SMD | Tube | ||||
FGB20N60SF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | 600 V | 2.2 V | 20 V | 40 A | 208 W | FGB20N60SF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
FGB20N60SFD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop | Нет | Si | TO-263AB | Through Hole | 600 V | 2.8 V | 20 V | 40 A | 83 W | FGB20N60SFD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
FGB3040CS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign | Нет | Si | TO-263-6 | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | FGB3040CS | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
FGB3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT | Нет | Si | FGB3236_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||||||
FGBS3040E1-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMART IGBT | Нет | Si | FGBS3040_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||||||
FGD3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | Нет | Si | TO-252 | SMD/SMT | 400 V | 1.15 V | 10 V | 23.2 A | 150 W | - 40 C | + 125 C | FGD3040G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
FGD3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | Нет | Si | TO-252 | SMD/SMT | 400 V | 1.1 V | 14 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 125 C | FGD3440G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »