Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW15T120 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 30 A | 110 W | - 40 C | + 150 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW20N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 40 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 41 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW25N120T2 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 50 A | 349 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW25T120 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 50 A | 190 W | - 40 C | + 150 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 50 A | 190 W | - 40 C | + 150 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW30N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 30A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 60 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 30A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.9 V | 20 V | 45 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW40T120 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 75 A | 270 W | - 40 C | + 150 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.7 V | 20 V | 75 A | 270 W | - 40 C | + 150 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW50N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 50A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 333 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 50A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 333 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW75N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 75A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 428 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 75A | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 428 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | |||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 | Да | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.4 V | 20 V | 60 A | 185 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 WR5 | Tube | |||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.4 V | 20 V | 80 A | 230 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 WR5 | Tube | |||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 | Да | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.4 V | 20 V | 80 A | 282 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 WR5 | Tube | |||
IKW30N65ES5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 62 A | 188 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | |||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bi | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 62 A | 188 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | |||
IKW40N65ES5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | |||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bi | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | |||
IKW50N65ES5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 80 A | 274 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | |||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bi | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 80 A | 274 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »