Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT75GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT75GT120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT80GA90B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT80GA90LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Да | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Нет | Si | STGB10M65DF2 | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 440 V | 16 V | - 65 C | + 150 C | STGB10NB37LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.1 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB14NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 12 V | - 55 C | + 150 C | STGB18N40LZT4 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB19N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Да | Si | STGB19N40LZ | AEC-Q100 | |||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | Да | Si | STGB20H60DF | ||||||||||||||
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | Нет | Si | STGB30M65DF2 | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
STGB7H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Нет | Si | STGB7H60DF | ||||||||||||||
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB8NC60KD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD10NC60H | Cut Tape, Reel | ||||||
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD10NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD14NC60K | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 12 V | - 55 C | + 150 C | STGD18N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGD3NC120H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | Нет | Si | STGD3NC120H | ||||||||||||||
STGD5NB120SZ-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | Нет | Si | IPAK-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 20 V | + 150 C | STGD5NB120SZ | Tube | |||||||
STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD8NC60KD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Нет | Si | TO-220-3 FP | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGF14NC60KD | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »