Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка сортировать по убыванию
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO-220-2Through HoleSingle650 V1.45 V20 V62 A188 W- 40 C+ 175 CIKP39
IRG7CH30K10EFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG7CH37K10EFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG7CH44K10EFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG7CH50K10EFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG7CH54K10EF-RInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IRG8CH137K10FInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IRG8CH184K10FInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG8CH37K10FInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IRG8CH50K10FInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG8CH76K10FInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRG8CH97K10FInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPSНет
IRGC4060BInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IRGC4061BInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IRGC4069BInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Нет
IXA40PF1200TDHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTsДаSiIXA40PF1200TDHGLB
IXA20RG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegДаSiIXA20RG1200DHGLB
IXA30RG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegДаSiIXA30RG1200DHGLB
IXA40RG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegДаSiIXA40RG1200DHGLB
IXBF32N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiISOPLUS-i4-3Through HoleSingle3 kV2.8 V20 V40 A160 W- 55 C+ 150 CVery High Voltage
IXBF50N360IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/70A Reverse Conducting IGBTНетSiISOPLUS-I4-Pak-3Through Hole
IXBF55N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFETНетSiISOPLUS i4-PAK-3Through HoleSingle3 kV2.7 V25 V86 A357 W- 55 C+ 150 CVery High Voltage
IXBH10N300HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247HV-3Through HoleSingle3 kV2.2 V20 V34 A180 W- 55 C+ 150 C
IXBK75N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700VНетSiTO-264-3Through HoleIXBK75N170
IXBL64N250IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAKНетSiISOPLUS i5-PAK-3Through HoleVery High Voltage

Страницы