Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер сортировать по убываниюМаксимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
APT75GN60BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT75GT120JRDQ3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227НетSiTube
APT80GA90BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247НетSiTO-247-3Through HoleTube
APT80GA90LD40Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264ДаSiTO-247-3Through HoleTube
APT95GR65B2Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 95A, TO-247 T-MAXНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V30 V208 A892 W- 55 C+ 150 CTube
STGB10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiSTGB10M65DF2Cut Tape, Reel
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle440 V16 V- 65 C+ 150 CSTGB10NB37LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFETНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle360 V12 V- 55 C+ 150 CSTGB18N40LZT4AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiSTGB19N40LZAEC-Q100
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19AНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGB20H60DF
STGB30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGB30M65DF2Cut Tape, Reel
STGB7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGB7H60DF
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFETНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB8NC60KDCut Tape, MouseReel, Reel
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600VНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD10NC60HCut Tape, Reel
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10AНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD10NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFETНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD14NC60KCut Tape, MouseReel, Reel
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle360 V12 V- 55 C+ 150 CSTGD18N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBTНетSiSTGD3NC120H
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBTНетSiIPAK-3Through HoleSingle1200 V20 V+ 150 CSTGD5NB120SZTube
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFETНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD8NC60KDCut Tape, MouseReel, Reel
STGF20NB60SSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 13A-600VНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGF20NB60STube

Страницы