Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура сортировать по убываниюСерия Квалификация Упаковка
APT75GN60BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT75GT120JRDQ3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227НетSiTube
APT80GA90BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247НетSiTO-247-3Through HoleTube
APT80GA90LD40Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264ДаSiTO-247-3Through HoleTube
STGB10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiSTGB10M65DF2Cut Tape, Reel
STGB19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiSTGB19N40LZAEC-Q100
STGB20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGB20H60DF
STGB30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGB30M65DF2Cut Tape, Reel
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH UltrafastНетSiD2PAKSMD/SMT1200 V2.3 V20 V14 A75 WSTGB3NC120HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGB7H60DF
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBTНетSiSTGD3NC120H
STGF7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGF7H60DF
STGFW40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle650 V2 V80 A62.5 WSTGFW40H65FB
STGP10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiSTGP10M65DF2Tube
STGP30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGP30M65DF2Tube
STGP3HF60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diodeДаSiSTGP3HF60HD
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBTНетSiTO-220-3Through Hole600 V1.9 V20 V14 A56 WSTGPL6NC60DITube
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSTGW30H60DLFBTube
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBTНетSiSTGW35HF60WDITube
STGW60H65DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through Hole650 V2.1 V20 V120 A360 WSTGW60H65DFTube
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGTНетSiTO-247SMD/SMT650 V1.9 V20 V120 A360 WSTGW60H65DRFTube
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65DFB-4
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65FB-4
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGWA30M65DF2Tube
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBTНетSiSTGWA30N120KDTube

Страницы