Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A RC IGBT FSII TOНетSiNGTB15N120IHRTube
NGTB15N135IHRWGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/15A RC IGBT FSII TOНетSiNGTB15N135IHRTube
NGTB20N120IHTGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A RC IGBTНетSiTube
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT FSII TНетSiTube
NGTB30N60L2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A IGBT TO-247НетSiTube
NGTB40N65IHL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FAST IGBT FSII TНетSiTube
NGTB45N60SWGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/45A IGBT FS1 TO-247НетSiTube
NGTB50N60L2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A LOW VCESAT FSIIНетSiNGTB50N60L2Tube
NGTB50N60SWGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A IGBT FS1 TO-247НетSiTube
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50 FAST IGBT FSII TOНетSiTube
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A FAST IGBT FSII TНетSiTube
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FAST FSII TO-247НетSiNGTB75N65FL2Tube
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST RECTIНетSiBulk
NGTD13R120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST RECНетSiBulk
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT DНетSiBulk
NGTD13T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT UНетSiBulk
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESATНетSiBulk
NGTD14T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESATНетSiBulk
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECTIFНетSiBulk
NGTD15R65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECTНетSiBulk
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST RECTIНетSiBulk
NGTD17R120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST RECНетSiBulk
NGTD17T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC11 FAST IGBT UНетSiBulk
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBTНетSiBulk
NGTD20T120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBНетSiBulk

Страницы