Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT50GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 30 V | 107 A | 366 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT50GS60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.8 V | 30 V | 93 A | 415 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GS60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.8 V | 30 V | 93 A | 415 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GT60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 110 A | 446 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT54GA60BD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 96 A | 416 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT64GA90LD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 900 V | 2.5 V | 30 V | 117 A | 500 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GN120JDQ3 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | Si | SOT-227-4 | SMD/SMT | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 124 A | 379 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GN120LG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 200 A | 833 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GN60LDQ3G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.45 V | 30 V | 155 A | 536 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT75GP120B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | T-Max-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 30 V | 100 A | 1.042 kW | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 143 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GA60LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 | Нет | Si | TO-264-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 143 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT95GR65B2 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 95A, TO-247 T-MAX | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 30 V | 208 A | 892 W | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
STGB10H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 20 A | 115 W | - 55 C | + 175 C | STGB10H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 440 V | 16 V | - 65 C | + 150 C | STGB10NB37LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 1.8 V | 1.2 V | 12 V | 20 A | 150 W | - 55 C | + 150 C | STGB10NB40LZT4 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.1 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB14NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB15H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.6 V | 20 V | 30 A | 115 W | - 55 C | + 175 C | STGB15H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 30 A | 136 W | - 55 C | + 175 C | STGB15M65DF2 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 12 V | - 55 C | + 150 C | STGB18N40LZT4 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 166 W | - 55 C | + 175 C | STGB20M65DF2 |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »