Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT25GP90BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120SD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO-268 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GN60BDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60B2DLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60LDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60BRDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60KRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT30GT60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT30N60SC6 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT35GA90B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT35GA90BD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT35GP120B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT35GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT36GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT36GA60BD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GP60B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GP60SG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT40GR120B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GR120S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-268 | Нет | Si | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »