Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по возрастаниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT100TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6512НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT150TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6514НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TDU170PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6527НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source1.7 kV2 V70 A400 nA310 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6518НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT75TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6525НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGL120TDU120TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source1.2 kV1.8 V140 A600 nA517 WSP6- 40 C+ 100 CTube
FZ1200R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLEДаTriple Common Emitter Common Gate3300 V3.4 V2000 A400 nA14.5 kWIS5a ( 62 mm )-9- 40 C+ 125 CTray
FPF2G120BF07ASON Semiconductor / FairchildМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power ModuleНетIGBT Silicon ModulesTriple650 V1.55 V40 A2 uA98 W, 140 W, 156 WF2- 40 C+ 150 CTray
FPF2G120BF07ASPON Semiconductor / FairchildМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power ModuleНетIGBT Silicon ModulesTriple650 V1.55 V40 A2 uA156 WF2- 40 C+ 150 CTray
FT150R12KE3G_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesTriple1200 V200 AEcono 3- 40 C+ 125 C
FZ1500R33HL3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KAДаIGBT Silicon ModulesTriple3300 V1500 AIHVB190- 50 C+ 150 CTray
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULEНетSiIGBT Silicon ModulesT-Type600 V, 1200 V1.4 V, 2.05 V49 A, 67 A200 nA, 300 nA158 WQ0PACK- 40 C+ 150 CTray
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBTНетSiIGBT Silicon ModulesSplit-T600 V, 1200 V1.47 V, 2.15 V100 A, 160 A300 nA, 500 nA500 WQ2PACK- 40 C+ 125 CTray
A1P25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетIGBT Silicon ModulesSixpack650 V2.3 V50 A500 nA208 WACEPACK-1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCДаIGBT Silicon ModulesSixpack650 V1.95 V50 A500 nA208 WACEPACK-1-35- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
FS100R12W2T7B11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.5 V70 A100 nAAG-EASY2B-2- 40 C+ 175 CTray
FS450R17OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon ModulesSix-Pack1700 V1.95 V450 A400 nA20 mW- 40 C+ 150 CTray
FS75R07U1E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSix-Pack650 V1.55 V100 A100 nA275 WSmartPACK1- 40 C+ 150 CTray
MIEB100W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk

Страницы