Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT100TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6512 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6514 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TDU170PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6527 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.7 kV | 2 V | 70 A | 400 nA | 310 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6518 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT75TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6525 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL120TDU120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.2 kV | 1.8 V | 140 A | 600 nA | 517 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
FZ1200R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLE | Да | Triple Common Emitter Common Gate | 3300 V | 3.4 V | 2000 A | 400 nA | 14.5 kW | IS5a ( 62 mm )-9 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FPF2G120BF07AS | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple | 650 V | 1.55 V | 40 A | 2 uA | 98 W, 140 W, 156 W | F2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FPF2G120BF07ASP | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple | 650 V | 1.55 V | 40 A | 2 uA | 156 W | F2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FT150R12KE3G_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | Да | IGBT Silicon Modules | Triple | 1200 V | 200 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | ||||||||
FZ1500R33HL3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA | Да | IGBT Silicon Modules | Triple | 3300 V | 1500 A | IHVB190 | - 50 C | + 150 C | Tray | |||||||
NXH80T120L2Q0S1G | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | T-Type | 600 V, 1200 V | 1.4 V, 2.05 V | 49 A, 67 A | 200 nA, 300 nA | 158 W | Q0PACK | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
NXH160T120L2Q2F2SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Split-T | 600 V, 1200 V | 1.47 V, 2.15 V | 100 A, 160 A | 300 nA, 500 nA | 500 W | Q2PACK | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 2.3 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1 | - 40 C | + 150 C | |||||
A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1-35 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.5 V | 70 A | 100 nA | AG-EASY2B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | |||||
FS450R17OE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | Six-Pack | 1700 V | 1.95 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS75R07U1E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Six-Pack | 650 V | 1.55 V | 100 A | 100 nA | 275 W | SmartPACK1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
MIEB100W1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 183 A | 200 nA | 630 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »