Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка сортировать по убыванию
APTGFQ25H120T2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesQuad1.2 kV2.1 V40 A150 nA227 WSP2- 40 C+ 100 C
APTGV50H60BT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНет
A1C15S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1C15S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетIGBT Silicon ModulesSixpack650 V2.3 V50 A500 nA208 WACEPACK-1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCДаIGBT Silicon ModulesSixpack650 V1.95 V50 A500 nA208 WACEPACK-1-35- 40 C+ 150 C
A2C25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C50S65M2STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетIGBT Silicon ModulesCIB650 V2.3 V100 A500 nA208 WACEPACK-2- 40 C+ 150 C
A2C50S65M2-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCДаIGBT Silicon ModulesCIB650 V1.95 V50 A500 nA208 WACEPACK-2-35- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
STGIB10CH60S-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB10CH60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB10CH60TS-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon Modules600 V1.5 V15 A66 WSDIP2B-26- 40 C+ 125 C
STGIB15CH60S-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB15CH60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB20M60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB8CH60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да

Страницы