Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGFQ25H120T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1.2 kV | 2.1 V | 40 A | 150 nA | 227 W | SP2 | - 40 C | + 100 C | |||||
APTGV50H60BT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | |||||||||||||||
A1C15S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 2.3 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1 | - 40 C | + 150 C | |||||
A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1-35 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2C25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 2.3 V | 100 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2-35 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
STGIB10CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||||
STGIB15CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB20M60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB8CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »