Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGL240TL120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 305 A | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||||
APTGL475U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7072 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 2.082 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
APTGL475U120DAG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6171 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 2.307 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGL700U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7070 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 910 A | 3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
APTGT150DH170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174 | Нет | Tube | ||||||||||||||
APTGT20H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052 | Нет | SP1-12 | Tube | |||||||||||||
APTGV50H60BT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | |||||||||||||||
APTLGL325A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 420 A | 1.5 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT300A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 1.4 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 600 A | 1.25 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
STGIB10CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||||
STGIB10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 60 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB20M60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB8CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB8CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | ||||||
STGIB8CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | ||||||
STGIF10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.65 V | 15 A | 33 W | SDIP2F-26 | - 40 C | + 175 C | ||||||
STGIF10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 26 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP2F-26L | + 175 C | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »